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1. (WO2017145595) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELUI-CI
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N° de publication : WO/2017/145595 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/001773
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 19.01.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
Déposants :
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Inventeurs :
竹内 有一 TAKEUCHI Yuichi; JP
秋葉 敦也 AKIBA Atsuya; JP
鈴木 克己 SUZUKI Katsumi; JP
山下 侑佑 YAMASHITA Yusuke; JP
Mandataire :
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Données relatives à la priorité :
2016-03229323.02.2016JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELUI-CI
(JA) 化合物半導体装置およびその製造方法
Abrégé :
(EN) According to the present invention, a p-type deep layer (5) is made to form from a corner portion of a base portion side of a p-type deep layer (5), i.e., a corner portion of a base portion side of a deep trench (15). That is, the corner portion of the base portion of the deep trench (15) is kept from becoming n-type. For example, a dopant gas that includes a p-type dopant is introduced beginning in a heating period, which is the period in which an epitaxial growth device is heated to the temperature at which the p-type deep layer (5) is made to undergo epitaxial growth, and then a source gas is introduced after the heating period. As a result, the p-type deep layer (5) can be formed even at the corner portion of the base portion of the deep trench (15). Accordingly, the p-type deep layer (5) can appropriately keep an electric field from penetrating a trench-gate structure side, and it is possible to achieve a withstand voltage between a drain and a source during off times.
(FR) Selon la présente invention, une couche profonde de type p (5) est formée à partir d'une partie coin d'un côté partie de base d'une couche profonde de type p (5), à savoir, une partie coin d'un côté partie de base d'une tranchée profonde (15). C'est-à-dire qu'on empêche la partie coin de la partie de base de la tranchée profonde (15) de devenir du type n. Par exemple, un gaz dopant qui comprend un dopant de type p est introduit en commençant par une période de chauffage, qui est la période dans laquelle un dispositif de croissance épitaxiale est chauffé jusqu'à la température à laquelle la couche profonde de type p (5) est amenée à subir une croissance épitaxiale, puis un gaz source est introduit après la période de chauffage. Il en résulte que la couche profonde de type p (5) peut être formée même au niveau de la partie coin de la partie de base de la tranchée profonde (15). Par conséquent, la couche profonde de type p (5) peut empêcher de manière appropriée un champ électrique de pénétrer dans un côté structure de grille en tranchée, et il est possible d'obtenir une tension de tenue entre un drain et une source pendant des temps d'arrêt.
(JA) p型ディープ層(5)の底部側の角部、つまりディープトレンチ(15)における底部側の角部からp型ディープ層(5)が形成されるようにする。すなわち、ディープトレンチ(15)の底部の角部がn型化することを抑制する。例えば、p型ディープ層(5)をエピタキシャル成長させる温度までエピタキシャル成長装置を昇温させる期間を昇温期間として、昇温期間中からp型ドーパントを含むドーパントガスを導入したのち、昇温期間後に原料ガスを導入する。これにより、ディープトレンチ(15)の底部の角部にもp型ディープ層(5)を形成できる。したがって、p型ディープ層(5)によるトレンチゲート構造側への電界の入り込み抑制効果を的確に発揮させることが可能となり。オフ時におけるドレイン-ソース間耐圧を得ることができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)