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1. (WO2017145594) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ

Pub. No.:    WO/2017/145594    International Application No.:    PCT/JP2017/001772
Publication Date: Fri Sep 01 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Jan 20 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 21/20
H01L 21/265
H01L 21/329
H01L 29/06
H01L 29/12
H01L 29/47
H01L 29/78
H01L 29/872
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: TAKEUCHI Yuichi
竹内 有一
AKIBA Atsuya
秋葉 敦也
SUZUKI Katsumi
鈴木 克己
YAMASHITA Yusuke
山下 侑佑
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
Abstract:
Selon la présente invention, un gaz dopant qui comprend un dopant du type p et un gaz dopant qui comprend un dopant du type n sont introduits ensemble, et une couche profonde du type p (5) et une couche de limitation (7) sont formées simultanément. En utilisant la dépendance à la direction du plan de la croissance épitaxiale d'une couche de SiC du type p et d'une couche de SiC du type n, la couche profonde du type p (5) est formée au niveau d'une partie de base d'une tranchée profonde (15), et la couche de limitation (7) est formée sur une surface latérale de la tranchée profonde (15). Par conséquent, il est possible de former de façon appropriée un transistor MOSFET vertical dans lequel la couche de limitation (7) a été formée sur une surface latérale de la couche profonde du type p (5).