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1. (WO2017145330) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/145330 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/055642
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 25.02.2016
CIB :
B23K 26/362 (2014.01) ,B23K 26/08 (2014.01) ,B23K 26/142 (2014.01) ,B23K 26/402 (2014.01) ,B23K 26/70 (2014.01)
[IPC code unknown for B23K 26/362]
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
08
Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
[IPC code unknown for B23K 26/142][IPC code unknown for B23K 26/402][IPC code unknown for B23K 26/70]
Déposants :
株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 1, Nishinokyo-Kuwabara-cho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511, JP
Inventeurs :
諏訪 雅也 SUWA, Masaya; JP
坂本 隼規 SAKAMOTO, Junki; JP
Mandataire :
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LASER PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU LASER
(JA) レーザ加工装置
Abrégé :
(EN) A laser processing device is provided with: a thin dielectric film (12) formed on the surface of a substrate (11); a blue semiconductor laser (3) with a wavelength of 400 nm; a semiconductor laser drive unit (4) for generating continuous wave laser light in the blue semiconductor laser (3) by driving the blue semiconductor laser (3); and irradiation units (21, 22) for irradiating a processing position for the thin dielectric film (12) with continuous wave laser light generated by the blue semiconductor laser (3).
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement au laser muni : d'un film diélectrique mince (12) formé sur la surface d'un substrat (11) ; d'un laser bleu à semi-conducteur (3) ayant une longueur d'onde de 400 nm ; d'une unité d'excitation (4) de laser à semi-conducteur pour générer une lumière laser à ondes continues dans le laser bleu à semi-conducteur (3) en excitant le laser à semi-conducteur bleu (3) ; et d'unités d'irradiation (21, 22) pour irradier une position de traitement pour le film diélectrique mince (12) avec la lumière laser à ondes continues générée par le laser bleu à semi-conducteur (3).
(JA) レーザ加工装置は、基板(11)の表面に形成された誘電体薄膜(12)と、波長が400nm帯の青色半導体レーザ(3)と、前記青色半導体レーザ(3)を駆動することにより前記青色半導体レーザ(3)に連続波のレーザ光を発生させる半導体レーザ駆動部(4)と、前記青色半導体レーザ(3)で発生した連続波のレーザ光を前記誘電体薄膜(12)の加工対象部位に照射する照射部(21,22)とを備える。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)