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1. (WO2017145261) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT LISIBLE PAR ORDINATEUR
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N° de publication :    WO/2017/145261    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/055222
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 23.02.2016
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : TOYODA, Kazuyuki; (JP).
YUASA, Kazuhiro; (JP).
YAMAMOTO, Tetsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT LISIBLE PAR ORDINATEUR
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a technology having: a first heating apparatus that heats a substrate to a first treatment temperature; a first treatment chamber that is provided with the first heating apparatus; a second heating apparatus that heats the substrate by means of microwaves to a second treatment temperature that is higher than the first treatment temperature; a second treatment chamber that is provided with the second heating apparatus; a substrate placing unit that carries in/out the substrate to and from the first treatment chamber and the second treatment chamber by rotating, while having the substrate placed thereon; and a control unit that controls the first heating apparatus, the second heating apparatus, and the substrate placing unit.
(FR)La présente invention concerne une technologie comprenant : un premier appareil de chauffage qui chauffe un substrat jusqu'à une première température de traitement ; une première chambre de traitement qui est pourvue du premier appareil de chauffage ; un second appareil de chauffage qui chauffe le substrat au moyen d'ondes hyperfréquence jusqu'à une seconde température de traitement qui est supérieure à la première température de traitement ; une seconde chambre de traitement qui est pourvue du second appareil de chauffage ; une unité de placement de substrat qui, tout en ayant le substrat placé sur elle, apporte/emporte par rotation le substrat dans et depuis la première chambre de traitement et la seconde chambre de traitement ; et une unité de commande qui commande le premier appareil de chauffage, le second appareil de chauffage et l'unité de placement de substrat.
(JA)基板を第1の処理温度まで加熱する第1の加熱装置と、第1の加熱装置を備えた第1の処理室と、基板をマイクロ波によって第1の処理温度よりも高い第2の処理温度まで加熱する第2の加熱装置と、第2の加熱装置を備えた第2の処理室と、基板を載置しつつ回転することによって、第1の処理室と第2の処理室に基板を搬入出する基板載置部と、第1の加熱装置と第2の加熱装置および基板載置部をそれぞれ制御する制御部と、を有する技術を提供できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)