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1. (WO2017145261) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT LISIBLE PAR ORDINATEUR

Pub. No.:    WO/2017/145261    International Application No.:    PCT/JP2016/055222
Publication Date: Fri Sep 01 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Feb 24 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/20
H01L 21/268
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: TOYODA, Kazuyuki
豊田 一行
YUASA, Kazuhiro
湯浅 和宏
YAMAMOTO, Tetsuo
山本 哲夫
Title: APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT LISIBLE PAR ORDINATEUR
Abstract:
La présente invention concerne une technologie comprenant : un premier appareil de chauffage qui chauffe un substrat jusqu'à une première température de traitement; une première chambre de traitement qui est pourvue du premier appareil de chauffage; un second appareil de chauffage qui chauffe le substrat au moyen d'ondes hyperfréquence jusqu'à une seconde température de traitement qui est supérieure à la première température de traitement; une seconde chambre de traitement qui est pourvue du second appareil de chauffage; une unité de placement de substrat qui, tout en ayant le substrat placé sur elle, apporte/emporte par rotation le substrat dans et depuis la première chambre de traitement et la seconde chambre de traitement; et une unité de commande qui commande le premier appareil de chauffage, le second appareil de chauffage et l'unité de placement de substrat.