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1. (WO2017145211) ÉLÉMENT DE COMMUTATION SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2017/145211    International Application No.:    PCT/JP2016/005222
Publication Date: Fri Sep 01 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Dec 27 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 29/739
H01L 29/06
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
DENSO CORPORATION
Inventors: SAITO, Jun
AOI, Sachiko
URAKAMI, Yasushi
Title: ÉLÉMENT DE COMMUTATION SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L’invention concerne un élément de commutation semi-conducteur de grille de tranchée. Le substrat semi-conducteur de l’élément comprend une région inférieure de second type de conductivité en contact avec la couche d’isolation de grille au niveau d’une surface inférieure de la tranchée, et une seconde région semi-conductrice de premier type de conductivité s’étendant d’une position en contact avec une surface inférieure de la région de corps à une position en contact avec une surface inférieure de la région inférieure. La région inférieure comprend une première région inférieure en contact avec la couche d’isolation de grille dans une première plage de la surface inférieure positionnée au niveau d’une extrémité dans une direction longue de la tranchée et s’étendant de la surface inférieure à une première position ; et une seconde région inférieure en contact avec la couche d’isolation de grille dans une seconde plage adjacente à la première plage et s’étendant de la surface inférieure à une seconde position plus basse que la première position.