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1. (WO2017145197) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/145197 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/001056
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 26.02.2016
CIB :
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs :
YANG, Wentao; CN
SIN, Johnny Kin On; CN
ONOZAWA, Yuichi; JP
Mandataire :
SAKAI, Akinori; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) At edge termination region (12), a trench (22) is disposed near an interface of an active region (11). Inside the trench (22), an embedded insulating film (23) is embedded, and inside the embedded insulating film (23), a FP (45) long in a direction of depth is disposed. The FP (45) curves outwardly away from an inner side wall (22a) of the trench (22) as a depth from a base front surface increases. At least near a bottom end of the FP (45), a distance (w3) between the FP (45) and the inner side wall (22a) of trench (22) is greater than a width (w2) of the groove (24). The FP (45) is connected to a front surface electrode (4) that extends on the embedded insulating film (23). As a result, breakdown voltage can be enhanced, adverse effects of the surface charge can be reduced, and chip size can be further reduced.
(FR) Au niveau d'une région de terminaison de bord (12), une tranchée (22) est disposée à proximité d'une interface d'une région active (11). A l'intérieur de la tranchée (22) est incorporé un film isolant (23), et à l'intérieur du film isolant incorporé (23) est disposée une plaque de champ FP (45) dans la direction de la profondeur. La FP (45) est incurvée vers l'extérieur par rapport à une paroi latérale intérieure (22a) de la tranchée (22) à l'endroit où une profondeur depuis une surface frontale de base augmente. Au moins près d'une extrémité inférieure de la FP (45), une distance (w3) entre la FP (45) et la paroi latérale intérieure (22a) de la tranchée (22) est supérieure à une largeur (w2) de la rainure (24). La FP (45) est raccordée à une électrode de surface avant (4) qui s'étend sur le film isolant incorporé (23). Par conséquent, la tension de claquage peut être améliorée, les effets indésirables de la charge de surface peuvent être réduits, et la taille de la puce peut être également réduite.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)