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1. (WO2017144994) TRANSISTOR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, TRANCHE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Pub. No.:    WO/2017/144994    International Application No.:    PCT/IB2017/050727
Publication Date: Fri Sep 01 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Feb 11 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/786
G09F 9/00
G09F 9/30
H01L 21/336
H01L 51/50
H05B 33/10
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: ASAMI, Yoshinobu
浅見良信
Title: TRANSISTOR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, TRANCHE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abstract:
La présente invention concerne un transistor possédant un grand courant de mise sous tension et un petit courant de mise hors tension. La présente invention concerne un transistor possédant un semi-conducteur à base d’oxyde, un premier isolant sur le semi-conducteur à base d’oxyde, un premier conducteur sur le semi-conducteur à base d’oxyde, un deuxième conducteur sur le semi-conducteur à base d’oxyde, et un troisième conducteur sur le premier isolant, une face latérale du troisième conducteur étant en contact avec le premier isolant. Le semi-conducteur à base d’oxyde possède une région de source possédant une région qui chevauche le premier conducteur, une région de drain possédant une région qui chevauche le deuxième conducteur, et une région de canal possédant une région qui chevauche le troisième conducteur. La longueur, dans le sens de la largeur du canal, du semi-conducteur à base d’oxyde dans la région de canal est inférieure à la longueur, dans le sens de la largeur du canal, du semi-conducteur à base d’oxyde dans la région de source et la région de drain.