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1. (WO2017144915) COUCHEUSE
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N° de publication :    WO/2017/144915    N° de la demande internationale :    PCT/GB2017/050504
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 24.02.2017
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : GENCOA LTD [GB/GB]; 4 De Havilland Drive, Speke Liverpool Merseyside L24 8RN (GB)
Inventeurs : BELLIDO-GONZALEZ, Victor; (GB)
Mandataire : HUTCHINSON IP LTD; 57 Hoghton Street Southport Merseyside PR9 0PG (GB)
Données relatives à la priorité :
1603233.6 24.02.2016 GB
Titre (EN) COATER
(FR) COUCHEUSE
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to generation and control of electron emission and transport in a plasma device for the purpose of enhancing ionisation in sputtering, including magnetron sputtering, ion treatment, thermal evaporation, electron beam evaporation. The device in question combines a sputtering enhanced electron emission on a cathodic element in which a strong electrical field around the electron emission element is created. In addition,this electric field area is in a magnetically confined space of nearly null strength and/or magnetic mirror features. The electron emission area would also comprise of guided magnetic field extraction magnetic field paths which could be either permanent or created at pulse modes. Also, the invention relates to reactive process and coating deposition ion bombardment management. This invention also relates to the use of present device in feedback control systems; manufacturing process and methods which use these devices and materials and components processed by the present invention are also part of the invention.
(FR)La présente invention concerne la génération et la commande d'émission et de transport d'électrons dans un dispositif à plasma dans le but d'améliorer l'ionisation dans la pulvérisation, y compris la pulvérisation par magnétron, le traitement ionique, l'évaporation thermique, l'évaporation par faisceau d'électrons. Le dispositif en question combine une émission d'électrons assistée par pulvérisation sur un élément cathodique dans lequel est créé un fort champ électrique autour de l'élément d'émission d'électrons. De plus, cette zone de champ électrique est dans un espace confiné magnétiquement de résistance presque nulle et/ou de caractéristiques de miroir magnétique. La zone d'émission d'électrons peut également comprendre des chemins de champ magnétique d'extraction de champ magnétique guidé qui peuvent être soit permanents soit créés à des modes pulsés. En outre, l'invention concerne un procédé réactif et la gestion de bombardement ionique de dépôt de revêtement. La présente invention concerne également l'utilisation du présent dispositif dans des systèmes de commande à rétroaction ; un procédé de fabrication et des procédés qui utilisent ces dispositifs et matériaux et les composants traités par la présente invention font également partie de l'invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)