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1. (WO2017144683) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/144683 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/054371
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 24.02.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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caractérisés par les électrodes
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ayant une forme particulière
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
SCHOLZ, Dominik; DE
PFEUFFER, Alexander F.; DE
OTTO, Isabel; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 103 353.725.02.2016DE
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for manufacturing an optoelectronic component (100), said method comprising steps: A) providing a growth substrate (1); B) applying a succession of semiconductor layers (2); C) structuring the succession of semiconductor layers (2); D) applying a sacrificial layer (3); E) depositing a metal layer (4); F) optional planarizing using a dielectric material (5); G) forming a second terminal contact (8) through the active region (25); H) applying a permanent support (6); and I) detaching the growth substrate (1) and exposing the metal layer (4).
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (100) comprenant les étapes suivantes : A) préparation d'un substrat de croissance (1), B) application d'une suite de couches de semi-conducteur (2), C) structuration de la suite de couches de semi-conducteur (2), D) application d'une couche sacrificielle (3), E) dépôt d'une couche métallique (4), F) éventuellement planarisation à l'aide d'un matériau diélectrique (5), G) formation d'un deuxième contact de branchement (8) à travers la zone active (25), H) application d'un support permanent (6) et I) détachement du substrat de croissance (1) et mise à nu de la couche métallique (4).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1), B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2), C) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (2), D) Aufbringen einer Opferschicht (3), E) Abscheiden einer Metallschicht (4), F) optional Planarisieren mit einem dielektrischen Material (5), G) Ausbilden eines zweiten Anschlusskontaktes (8) durch den aktiven Bereich (25), H) Aufbringen eines permanenten Trägers (6), und I) Ablösen des Wachstumssubstrats (1) und Freilegen der Metallschicht (4).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)