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1. (WO2017144680) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/144680 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/054366
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 24.02.2017
CIB :
H01L 33/50 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
O´BRIEN, David; DE
DIRSCHERL, Georg; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 103 463.026.02.2016DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising a semiconductor chip (1) configured for emitting radiation, a conversion element (2) comprising quantum dots (5) and configured for wavelength conversion of radiation, wherein the conversion element (2) comprises a layer structure (7) having a plurality of inorganic barrier layers (31, 32, 33, 34), wherein the inorganic barrier layers (31, 32, 33, 34) are spatially separated from one another at least regionally by a hybrid polymer (4), wherein the hybrid polymer (4) comprises organic and inorganic regions that are covalently bonded to one another, wherein the quantum dots (5) are embedded in the hybrid polymer (4) and/or at least in one of the barrier layers (31, 32, 33, 34).
(FR) L’invention concerne un composant optoélectonique (100) comprenant une puce semiconductrice (1) conçue pour l’émission d’un rayonnement, un élément de conversion (2) qui présente des boîtes quantiques (5), lesquelles sont conçues pour la conversion de longueur d’onde d’un rayonnement, l’élément de conversion (2) ayant une structure stratifiée (7) pourvue de plusieurs couches barrière inorganiques (31, 32, 33, 34), les couches barrière inorganiques (31, 32, 33, 34) étant séparées les unes des autres spatialement au moins par endroits par un polymère hybride (4), le polymère hybride (4) présentant des zones organiques et inorganiques reliées de manière covalente, les boîtes quantiques (5) étant incorporées au polymère hybride (4) et/ou au moins à une couche barrière (31, 32, 33, 34).
(DE) Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, ein Konversionselement (2), das Quantenpunkte (5) aufweist und die zur Wellenlängenkonversion von Strahlung eingerichtet sind, wobei das Konversionselement (2) eine Schichtstruktur (7) mit mehreren anorganischen Barriereschichten (31, 32, 33, 34) aufweist, wobei die anorganischen Barriereschichten (31, 32, 33, 34) durch ein Hybridpolymer (4) zumindest bereichsweise räumlich voneinander separiert sind, wobei das Hybridpolymer (4) organische und anorganische Bereiche aufweist, die kovalent miteinander verbunden sind, wobei die Quantenpunkte (5) in dem Hybridpolymer (4) und/oder zumindest in einer der Barriereschichten (31, 32, 33, 34) eingebettet sind.
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Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)