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1. (WO2017144512) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT ET PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT
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N° de publication :    WO/2017/144512    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/054016
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 22.02.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : BERGBAUER, Werner; (DE).
LEHNHARDT, Thomas; (DE).
OFF, Jürgen; (DE).
LAHOURCADE, Lise; (DE).
DRECHSEL, Philipp; (DE)
Mandataire : ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 103 346.4 25.02.2016 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP, AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT ET PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), - epitaktisches Aufwachsen einer Pufferschicht (3) auf das Aufwachssubstrat (1), wobei in der Pufferschicht (3) eine Vielzahl an V-Pits (4) erzeugt wird, - epitaktisches Aufwachsen einer strahlungserzeugenden aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Pufferschicht (3), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die aktive Halbleiterschichtenfolge (5) fortsetzt, - epitaktisches Aufwachsen einer weiteren Schichtenfolge (9) auf die aktive Halbleiterschichtenfolge (5), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die weitere Schichtenfolge (9) fortsetzt, - Selektives Entfernen der weiteren Schichtenfolge (9) von den Facetten (8) der V-Pits (4), wobei die weitere Schichtenfolge (9) auf der Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) verbleibt, und - epitaktisches Aufwachsen einer p-dotierten Halbleiterschicht (15), die die V-Pits (4) vollständig oder teilweise ausfüllt. Weiterhin wird ein Halbleiterchip angegeben, der mit diesem Verfahren hergestellt werden kann.
(EN)The invention relates to a method for producing a radiation-emitting semiconductor chip having the following steps: providing a growing substrate (1), epitaxial growing of a buffer layer (3) on the growing substrate (1), wherein a plurality of V-pits (4) are generated in the buffer layer (3), epitaxial growing of a radiation-generating active semiconductor layer sequence (5) on the buffer layer (3), wherein the structure of the V-pits (4) continues in the active semiconductor layer sequence (5), epitaxial growing of an additional layer sequence (9) on the active semiconductor layer sequence (5), wherein the structure of the V-pits (4) continues in the further layer sequence (9), selective removing of the further layer sequence (9) from the facets (8) of the V-pits (4), wherein the further layer sequence (9) remains on the main surface (12) of the active semiconductor layer sequence (5), and epitaxial growing of a p-doped semiconductor layer (15), which fills the V-pits (4) in full or in part. The invention further relates to a semiconductor chip that can be produced by said method.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’une puce semi-conductrice émettrice de rayonnement comprenant les étapes consistant à : prendre un substrat de croissance (1), faire croître par épitaxie une couche tampon (3) sur le substrat de croissance (1), une pluralité de puits en V (4) étant formée dans la couche tampon (3), faire croître par épitaxie une succession de couches de semi-conducteur actives (5), émettrices de rayonnement, sur la couche tampon (3), la structure des puits en V (4) se poursuivant dans la succession de couches de semi-conducteur actives (5), faire croître par épitaxie une autre succession de couches (9) sur la succession de couches de semi-conducteur actives (5), la structure des puits en V (4) se poursuivant dans l’autre succession de couches (9), retirer sélectivement l’autre succession de couches (9) des facettes (8) des puits en V (4), l’autre succession de couches (9) restant sur la surface principale (12) de la succession de couches de semi-conducteur actives (5), et faire croître par épitaxie une couche de semi-conducteur à dopage p (15) qui remplit complètement ou partiellement les puits en V (4). En outre, l’invention concerne une puce semi-conductrice qui peut être fabriquée à l'aide de ce procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)