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1. (WO2017144429) PROCÉDÉ PERMETTANT D'OBTENIR SUR UN SUBSTRAT CRISTALLIN UNE COUCHE SEMI-POLAIRE DE NITRURE
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N° de publication :    WO/2017/144429    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/053830
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 21.02.2017
CIB :
C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 Rue Michel Ange 75016 Paris (FR)
Inventeurs : FEUILLET, Guy; (FR).
EL KHOURY MAROUN, Michel; (FR).
VENNEGUES, Philippe; (FR).
ZUNIGA PEREZ, Jesus; (FR)
Mandataire : HAUTIER, Nicolas; (FR)
Données relatives à la priorité :
1651433 22.02.2016 FR
Titre (EN) METHOD MAKING IT POSSIBLE TO OBTAIN A SEMI-POLAR NITRIDE LAYER ON A CRYSTALLINE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'OBTENIR SUR UN SUBSTRAT CRISTALLIN UNE COUCHE SEMI-POLAIRE DE NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)One aim of the invention relates to a method making it possible to obtain at least one semi-polar layer (480) of nitride (N) on a top surface of a crystalline layer (300). The method includes the following steps: etching parallel grooves (320) from the top surface of the crystalline substrate (300), each groove (320) including at least one facet (310) having a crystalline orientation \(111\); forming a mask (331) such that the facets (311) opposite said facets (310) having a crystalline orientation \(111\) are masked and such that said facets (310) having a crystalline orientation \(111\) are not masked; at least a first epitaxial growth phase, produced from said non-masked facets (310) so as to form a seed (440); interrupting the first epitaxial growth phase when said seed (440) has an angled facet (442) having a crystalline orientation (0001) and a top facet (441) having a crystalline orientation (1011); a surface treatment step including modifying a top portion of the seed (440) by placing at least one gas, containing silicon (Si), in the presence of the seed (440) so as to form a modified portion (450) containing silicon (Si); and at least a second phase for epitaxial growth of said material from said angled facet (442), the second epitaxial growth phase being continued until coalescence of the seeds (440).
(FR)Un objet de l'invention concerne un procédé permettant d'obtenir au moins une couche semi-polaire (480) de nitrure (N) sur une surface supérieure d'une couche cristalline (300), le procédé comprenant les étapes suivantes: graver des rainures parallèles (320) à partir de la surface supérieure du substrat cristallin (300), chaque rainure (320) comprenant au moins une facette (310) présentant une orientation cristalline {111}; former un masque (331) de telle sorte que les facettes (311) opposées auxdites facettes (310) présentant une orientation cristalline {111} soient masquées et que lesdites facettes (310) présentant une orientation cristalline {111} ne soient pas masquées; - au moins une première phase de croissance épitaxiale, réalisée à partir desdites facettes (310) non masquées de manière à former un germe (440); - interruption de la première phase de croissance épitaxiale lorsque ledit germe (440) présente une facette inclinée (442) présentant une orientation cristalline (0001) et une facette supérieure (441) présentant une orientation cristalline (1011); - une étape de traitement de surface comprenant une modification d'une portion supérieure du germe (440) par mise en présence du germe (440) avec au moins un gaz comprenant du silicium (Si) de manière à former une portion modifiée (450) comprenant du silicium (Si); - au moins une deuxième phase de croissance épitaxiale dudit matériau, à partir de ladite facette inclinée (442), la deuxième phase de croissance épitaxiale étant poursuivie jusqu'à coalescence de germes (440).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)