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1. (WO2017144117) PROCÉDÉ DE FORMATION DE BATTERIE AU LITHIUM-ION
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N° de publication :    WO/2017/144117    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/054111
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 26.02.2016
CIB :
H01M 4/04 (2006.01), H01M 4/13 (2010.01), H01M 4/139 (2010.01), H01M 10/0525 (2010.01), H01M 10/0567 (2010.01), H01M 10/44 (2006.01)
Déposants : TOYOTA MOTOR EUROPE [BE/BE]; Avenue du Bourget 60 1140 Brussels (BE)
Inventeurs : SAKURAI, Takahiro; (BE)
Mandataire : INTÈS, Didier; (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LITHIUM-ION BATTERY FORMATION PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE BATTERIE AU LITHIUM-ION
Abrégé : front page image
(EN)A method of performing a formation process for a lithium-ion cell (10) comprising an anode (12), a cathode (16), an electrolyte (22) and a separator (20), the formation process including: - performing a charge-discharge cycle, wherein the cell is charged up to a first predetermined voltage level (V1) and discharged until a second predetermined voltage level (V2) being lower than the first predetermined voltage level, - determining a resistance R of the cell during discharge, wherein R = (V1-V2)/I, I being the discharge current, and - repeating the charge-discharge cycle until the determined resistance of the cell reaches a predetermined lower resistance limit (Rmin).
(FR)La présente invention concerne un procédé de conduite d’un processus de formation pour une cellule au lithium-ion (10) comprenant une anode (12), une cathode (16), un électrolyte (22) et un séparateur (20), le processus de formation comprenant : - la conduite d’un cycle de charge-décharge, dans lequel la cellule est chargée jusqu’à un premier niveau de tension prédéterminé (V1) et déchargée jusqu’à un deuxième niveau de tension prédéterminé (V2) étant inférieur au premier niveau de tension prédéterminé, - la détermination d’une résistance R de la cellule pendant la décharge, où R = (V1-V2)/I, I étant le courant de décharge, et - la répétition du cycle de charge-décharge jusqu’à ce que la résistance déterminée de la cellule atteigne une limite de résistance à valeur prédéterminée (Rmin).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)