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1. (WO2017143998) CIRCUIT D'ATTAQUE DE TRANSISTOR
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N° de publication : WO/2017/143998 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/074625
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 23.02.2017
CIB :
H02M 1/08 (2006.01)
Déposants : BYD COMPANY LIMITED[CN/CN]; No. 3009, BYD Road, Pingshan Shenzhen, Guangdong 518118, CN
Inventeurs : FU, Ping; CN
GAO, Fei; CN
Mandataire : TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC; Room 301 Trade Building, Zhaolanyuan Tsinghua University, Qinghuayuan Haidian District, Beijing 100084, CN
Données relatives à la priorité :
201610100870.524.02.2016CN
Titre (EN) TRANSISTOR DRIVING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE TRANSISTOR
(ZH) 晶体管的驱动电路
Abrégé : front page image
(EN) A transistor driving circuit (100), comprising: a high-voltage power source (110), a low-voltage power source (120), a high-voltage power source domain circuit (130), a low-voltage power source domain circuit (140), an electrostatic discharge apparatus (150) and an electrical level transfer circuit (160), wherein the high-voltage power source domain circuit is connected to the high-voltage power source; the low-voltage power source domain circuit is connected to the low-voltage power source; and the electrostatic discharge apparatus is respectively arranged between two electrodes (VB, VS) of the high-voltage power source, between two electrodes (VCC, VSS) of the low-voltage power source and between a positive electrode (VB) of the high-voltage power source and a negative electrode (VSS) of the low-voltage power source. The electrical level transfer circuit comprises an electrical level detection circuit (161), a current limiting module (162), a discharge module (163) and a switch tube (164), wherein the electrical level detection circuit is connected to the positive electrode of the high-voltage power source and is respectively connected to the current limiting module, the discharge module and the high-voltage power source domain circuit; the current limiting module is also connected to a first end of the switch tube; the discharge module is also connected to a negative electrode of the high-voltage power source; a control end of the switch tube is connected to the low-voltage power source domain circuit, and a second end of the switch tube is connected to the negative electrode of the low-voltage power source; the current limiting module is used for limiting a discharge current when the driving circuit conducts electrostatic discharge; and the discharge module is used for forming an auxiliary discharge passage between the negative electrode of the high-voltage power source and the first end of the switch tube so as to assist the electrostatic discharge of the driving circuit. The transistor driving circuit has a strong anti-electrostatic capability, thereby improving the stability and reliability of the transistor driving circuit.
(FR) L'invention concerne un circuit d'attaque de transistor (100), comprenant : une source d'alimentation haute tension (110), une source d'alimentation basse tension (120), un circuit de domaine de source d'alimentation haute tension (130), un circuit de domaine de source d'alimentation basse tension (140), un appareil de décharge électrostatique (150) et un circuit de transfert de niveau électrique (160), le circuit de domaine de source d'alimentation haute tension étant connecté à la source d'alimentation haute tension ; le circuit de domaine de source d'alimentation basse tension étant connecté à la source d'alimentation basse tension ; et l'appareil de décharge électrostatique étant disposé respectivement entre deux électrodes (VB, VS) de la source d'alimentation haute tension, entre deux électrodes (VCC, VSS) de la source d'alimentation basse tension, et entre une électrode positive (VB) de la source d'alimentation haute tension et une électrode négative (VSS) de la source d'alimentation basse tension. Le circuit de transfert de niveau électrique comprend un circuit de détection de niveau électrique (161), un module limiteur de courant (162), un module de décharge (163) et un tube de commutation (164), le circuit de détection de niveau électrique étant connecté à l'électrode positive de la source d'alimentation haute tension et étant connecté respectivement au module limiteur de courant, au module de décharge et au circuit de domaine de source d'alimentation haute tension ; le module limiteur de courant étant également connecté à une première borne du tube de commutation ; le module de décharge étant également connecté à une électrode négative de la source d'alimentation haute tension ; une borne de commande du tube de commutation étant connectée au circuit de domaine de source d'alimentation basse tension, et une seconde borne du tube de commutation étant connectée à l'électrode négative de la source d'alimentation basse tension ; le module limiteur de courant étant utilisé pour limiter un courant de décharge lorsque le circuit d'attaque effectue une décharge électrostatique ; et le module de décharge étant utilisé pour former un passage de décharge auxiliaire entre l'électrode négative de la source d'alimentation haute tension et la première borne du tube de commutation de manière à faciliter la décharge électrostatique du circuit d'attaque. Le circuit d'attaque de transistor présente une forte capacité anti-électrostatique, ce qui permet d'améliorer la stabilité et la fiabilité du circuit d'attaque de transistor.
(ZH) 一种晶体管的驱动电路(100),包括:高压电源(110)和低压电源(120)、高压电源域电路(130)和低压电源域电路(140)、静电泄放装置(150)以及电平转移电路(160),其中,高压电源域电路与高压电源相连,低压电源域电路与低压电源相连,静电泄放装置分别设置在高压电源的两极(VB、VS)之间、低压电源的两极(VCC、VSS)之间和高压电源的正极(VB)与低压电源的负极(VSS)之间,电平转移电路包括电平检测电路(161)、限流模块(162)、泄放模块(163)和开关管(164),电平检测电路与高压电源的正极相连且分别与限流模块、泄放模块以及高压电源域电路相连,限流模块还与开关管的第一端相连,泄放模块还与高压电源的负极相连,开关管的控制端与低压电源域电路相连且开关管的第二端与低压电源的负极相连,限流模块用于在驱动电路进行静电泄放时限制泄放电流,泄放模块用于在高压电源的负极和开关管的第一端之间形成辅助泄放通路以辅助驱动电路的静电泄放。该晶体管的驱动电路抗静电能力强,进而提升了晶体管的驱动电路的稳定性和可靠性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)