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1. (WO2017143898) PUCE DE CIRCUIT D'ATTAQUE HAUTE TENSION AUTO-ÉLÉVATEUR INTÉGRÉ ET STRUCTURE TECHNOLOGIQUE S'Y RAPPORTANT
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N° de publication : WO/2017/143898 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/072153
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 23.01.2017
CIB :
H03K 17/687 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
东南大学 SOUTHEAST UNIVERSITY [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 无锡新区菱湖大道99号 No.99 Linghu Avenue Wuxi New District Wuxi, Jiangsu 214135, CN
东南大学-无锡集成电路技术研究所 SOUTHEAST UNIVERSITY-WUXI INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 无锡新区菱湖大道99号东南院3-4楼,传感楼3-6楼 3-6 Floor, Sensor Building, 3-4 Floor,Southeast Building No.99 Linghu Avenue Wuxi New District Wuxi, Jiangsu 214135, CN
Inventeurs :
孙伟锋 SUN, Weifeng; CN
张允武 ZHANG, Yunwu; CN
禹括 YU, Kuo; CN
祝靖 ZHU, Jing; CN
徐申 XU, Shen; CN
钱钦松 QIAN, Qinsong; CN
刘斯扬 LIU, Siyang; CN
陆生礼 LU, Shengli; CN
时龙兴 SHI, Longxing; CN
Mandataire :
江苏爱信律师事务所 JIANGSU AIXIN LAW FIRM; 中国江苏省南京市 汉中门大街1号金鹰汉中新城18层E座 18th Fl.-E Jinyinghanzhongxincheng Building No. 1 Hanzhongmen main street Nanjing, Jiangsu 210029, CN
Données relatives à la priorité :
201610098736.623.02.2016CN
Titre (EN) INTEGRATED BOOTSTRAP HIGH-VOLTAGE DRIVER CHIP AND TECHNOLOGICAL STRUCTURE THEREOF
(FR) PUCE DE CIRCUIT D'ATTAQUE HAUTE TENSION AUTO-ÉLÉVATEUR INTÉGRÉ ET STRUCTURE TECHNOLOGIQUE S'Y RAPPORTANT
(ZH) 一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构
Abrégé :
(EN) An integrated bootstrap high-voltage driver chip and a technological structure thereof. Parasitic high-voltage diodes implemented by integration technology in a high-voltage level shift circuit (006) are used for charging a bootstrap capacitor CB, wherein a power supply end of the high voltage level shift circuit (006) is a high-side floating power supply VB, and a reference ground is a floating voltage PGD. The PGD is controlled by a bootstrap control circuit (003). A first parasitic diode DB1 and a second parasitic diode DB2 are provided between the VB and the PGD. The bootstrap control circuit (003) is controlled by a high-side signal and a low-side signal. When a low-side output signal LO is at a high level and the high-side output signal HO is at a low level, or when the low-side output signal LO is at a low level and the high-side output signal HO is at a low level, the output PGD of the bootstrap control circuit (003) is at a high level VCC. The VCC unidirectionally charges the external bootstrap capacitor CB by means of the first parasitic diode DB1 and the second parasitic diode DB2. The high-voltage driver chip is high in charging speed and charging efficiency, simple in circuit structure and low in costs.
(FR) L'invention concerne une puce de circuit d'attaque haute tension auto-élévateur intégré et une structure technologique s'y rapportant. Des diodes haute tension parasites mises en œuvre par une technologie d'intégration dans un circuit de décalage de niveau haute tension (006) sont utilisées pour charger un condensateur auto-élévateur CB, une borne d'alimentation électrique du circuit de décalage de niveau haute tension (006) étant une alimentation électrique flottante côté haut VB, et une masse de référence étant une tension flottante PGD. La tension PGD est commandée par un circuit de commande d'auto-élévation (003). Une première diode parasite DB1 et une seconde diode parasite DB2 sont disposées entre VB et PGD. Le circuit de commande d'auto-élévation (003) est commandé par un signal côté haut et un signal côté bas. Lorsqu'un signal de sortie côté bas LO est à un niveau haut et un signal de sortie côté haut HO est à un niveau bas, ou lorsque le signal de sortie côté bas LO est à un niveau bas et le signal de sortie côté haut HO est à un niveau bas, la sortie PGD du circuit de commande d'auto-élévation (003) est à un niveau haut VCC. Le VCC charge de manière unidirectionnelle le condensateur auto-élévateur externe CB au moyen de la première diode parasite DB1 et de la seconde diode parasite DB2. La puce de circuit d'attaque haute tension présente une vitesse de charge et une efficacité de charge élevées, une structure de circuit simple et de faibles coûts.
(ZH) 一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构,利用高压电平移位电路(006)中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容C B进行充电,高压电平移位电路(006)的电源端为高侧浮动电源VB,参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路(003)进行控制,VB和PGD之间设有第一寄生二极管D B1和第二寄生二极管D B2,自举控制电路(003)由高侧信号和低侧信号控制,当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平,或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时,自举控制电路(003)的输出PGD为高电平VCC,VCC通过第一寄生二极管D B1和第二寄生二极管D B2对外部自举电容C B进行单向充电。所述高压驱动芯片充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)