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1. (WO2017143678) TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Pub. No.:    WO/2017/143678    International Application No.:    PCT/CN2016/083511
Publication Date: Fri Sep 01 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri May 27 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/786
H01L 21/423
H01L 21/34
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: DENG, Yong
邓永
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abstract:
L'invention concerne un transistor à couches minces d'oxyde et son procédé de préparation. Son procédé de préparation comprend les étapes suivantes consistant à : utiliser un substrat (100) ; former une couche active (400) sur le substrat (100) et effectuer un traitement de surface par plasma sur la couche active (400), afin d'obtenir une couche active (400) ayant une rugosité inférieure à 10 nm. Bien que la couche active formée par dépôt présente une rugosité élevé et des défauts, une extrusion efficace de la couche active est obtenue par traitement de la couche active au moyen d'une technique de traitement de surface par plasma avec certains paramètres de traitement tels que des espèces d'ions gazeux et de l'énergie de bombardement ionique et l'angle étant commandé de manière rationnelle. L'extrusion peut être décomposée en une force d'action longitudinale et en une force d'action transversale, de telle sorte que la rugosité et les défauts de la surface d'une couche semi-conductrice à oxyde peuvent être modifiés ; par ailleurs, la force d'adhérence de la couche semi-conductrice à oxyde est également améliorée.