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1. (WO2017143626) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHE MINCE D'OXYDE, ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
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N° de publication :    WO/2017/143626    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/075445
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 03.03.2016
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; LAN Linfeng South China University of Technology, No.381,Wushan Road, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510640 (CN)
Inventeurs : LAN, Linfeng; (CN).
GAO, Peixiong; (CN).
WANG, Lei; (CN).
PENG, Junbiao; (CN)
Mandataire : BEIJING KEYI INTELLECTUAL PROPERTY FIRM; ZHAO Ruihong Hejingyuan No.1-2-502, Jimenli, Hai Dian District Beijing 100088 (CN)
Données relatives à la priorité :
2016100975655 23.02.2016 CN
Titre (EN) PREPARATION METHOD FOR OXIDE THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHE MINCE D'OXYDE, ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(ZH) 氧化物薄膜的制备方法及其薄膜晶体管
Abrégé : front page image
(EN)A preparation method for an oxide thin film, and a thin film transistor. The preparation method comprises: firstly, dispersing oxide nanometer powder in a solvent to form a suspension by using a dispersing agent; then, carrying out film forming on the suspension on a substrate; and finally, carrying out annealing processing on the formed film and then removing the dispersing agent to obtain a required oxide thin film, the oxide nanometer powder containing at least one of indium, zinc, gallium, tin, zirconium, aluminum, hafnium, scandium, tantalum and silicon, and the solvent being water or alcohol, the dispersing agent being one of lignin, phenolic resin or cellulose. According to the thin film transistor, one or more functional layers of the thin film transistor are formed by using the oxide thin film. The preparation method needs a low preparation temperature, low cost, is environmentally-friendly and has high controllability, and is suitable for preparation at a large scale. The thin film transistor has high mobility and a high switching ratio, and can be used for flexible display.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince d'oxyde, et un transistor à couches minces. Le procédé de préparation consiste à : premièrement, disperser de la poudre nanométrique d'oxyde dans un solvant pour former une suspension à l'aide d'un agent dispersant ; puis, effectuer une formation de film sur la suspension sur un substrat ; et enfin, effectuer un traitement de recuit sur le film formé puis retirer l'agent dispersant pour obtenir une couche mince d'oxyde requise, la poudre nanométrique d'oxyde contenant au moins un élément parmi l'indium, le zinc, le gallium, l'étain, le zirconium, l'aluminium, l'hafnium, le scandium, le tantale et le silicium, et le solvant étant de l'eau ou de l'alcool, l'agent dispersant étant un élément parmi la lignine, la résine phénolique ou la cellulose. Selon le transistor à couches minces, une ou plusieurs couches fonctionnelles du transistor à couches minces sont formées à l'aide de la couche mince d'oxyde. Le procédé de préparation nécessite une faible température de préparation, un faible coût, est écologique et a une contrôlabilité élevée, et est approprié pour une préparation à grande échelle. Le transistor à couches minces a une mobilité élevée et un rapport de commutation élevé, et peut être utilisé pour un affichage flexible.
(ZH)一种氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管。该制备方法是先将氧化物纳米粉末用分散剂分散在溶剂中形成悬浮液,然后将悬浮液在衬底上成膜,再将形成的膜经退火处理去除分散剂后得到所需要的氧化物薄膜;氧化物纳米粉末含有铟、锌、镓、锡、锆、铝、铪、钪、钽和硅中的至少一种,溶剂为水或醇;分散剂为木质素、酚醛树脂或纤维素中的一种。薄膜晶体管采用该氧化物薄膜构成其一个或者多个功能层。该方法制备温度低、成本低、适用于大面积制备、环保、可控性强,该薄膜晶体管迁移率高、开关比高,能应用于柔性显示。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)