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1. (WO2017142877) PROCÉDÉ DE TRANSFERT SÉLECTIF DE PUCE DE LED À UNE CARTE DE FOND DE PANIER EN UTILISANT DES STRUCTURES DE LIAISON COMMANDÉES EN HAUTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/142877    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/017830
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 14.02.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/677 (2006.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : GLO AB [SE/SE]; Scheelevägen 22 223 63 Lund (SE).
POKHRIYAL, Anusha [US/US]; (US).
FARRENS, Sharon N. [US/US]; (US).
GALLAGHER, Timothy [US/US]; (US)
Inventeurs : POKHRIYAL, Anusha; (US).
FARRENS, Sharon N.; (US).
GALLAGHER, Timothy; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; (US).
COHN, Joanna; (US).
CONNOR, David; (US).
GAUL, Allison; (US).
GAYOSO, Tony; (US).
GERETY, Todd; (US).
GILL, Matthew; (US).
GREGORY, Shaun D.; (US).
HANSEN, Robert; (US).
HUANG, Stephen; (US).
HYAMS, David; (US).
JOHNSON, Timothy; (US).
MAZAHERY, Benjamin; (US).
MURPHY, Timothy; (US).
NGUYEN, Jaqueline; (US).
O'BRIEN, Michelle; (US).
PARK, Byeongju; (US).
RUTT, Steven; (US).
SIMON, Phyllis; (US).
SULSKY, Martin; (US).
GEMMEL, Elizabeth; (US)
Données relatives à la priorité :
62/295,697 16.02.2016 US
Titre (EN) METHOD OF SELECTIVELY TRANSFERRING LED DIE TO A BACKPLANE USING HEIGHT CONTROLLED BONDING STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT SÉLECTIF DE PUCE DE LED À UNE CARTE DE FOND DE PANIER EN UTILISANT DES STRUCTURES DE LIAISON COMMANDÉES EN HAUTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Selective transfer of dies including semiconductor devices to a target substrate can be performed employing local laser irradiation. Coining of at least one set of solder material portions can be employed to provide a planar surface-to-surface contact and to facilitate bonding of adjoining pairs of bond structures. Laser irradiation on the solder material portions can be employed to sequentially bond selected pairs of mated bonding structures, while preventing bonding of devices not to be transferred to the target substrate. Additional laser irradiation can be employed to selectively detach bonded devices, while not detaching devices that are not bonded to the target substrate. The transferred devices can be pressed against the target substrate during a second reflow process so that the top surfaces of the transferred devices can be coplanar. Wetting layers of different sizes can be employed to provide a trapezoidal vertical cross-sectional profile for reflowed solder material portions.
(FR)L'invention concerne le transfert sélectif de puces contenant des dispositifs semiconducteurs à un substrat cible qui peut être réalisé en utilisant l'irradiation locale au laser. Le matriçage d'au moins un ensemble de portions de matériau de brasure peut être utilisé pour produire un contact de surface à surface à plat et pour faciliter la liaison de paires adjacentes de structures de liaison. L'irradiation au laser sur les portions de matériau de brasure peut être utilisée pour lier séquentiellement des paires sélectionnées de structures de liaison accouplées, tout en empêchant la liaison de dispositifs qui ne doivent pas être transférés sur le substrat cible. Une irradiation au laser supplémentaire peut être utilisée pour détacher sélectivement des dispositifs liés, tout en ne détachant pas les dispositifs qui ne sont pas liés au substrat cible. Les dispositifs transférés peuvent être compressés contre le substrat cible pendant un deuxième processus de refusion, de sorte que les surfaces supérieures des dispositifs transférés peuvent être coplanaires. Des couches d'humidification de différentes tailles peuvent être employées pour réaliser un profil de section transversale vertical trapézoïdal pour les portions de matériau de brasure ayant subi la refusion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)