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1. (WO2017142663) DÉTECTION DE TENSION DE DOUBLE DÉMARCATION AVANT ÉCRITURES
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N° de publication : WO/2017/142663 N° de la demande internationale : PCT/US2017/013798
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 17.01.2017
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
CHU, Daniel; US
PANGAL, Kiran; US
TAUB, Mase; US
GULIANI, Sandeep; US
ZENG, Raymond; US
Mandataire :
OSBORNE, David W.; US
Données relatives à la priorité :
15/046,33917.02.2016US
Titre (EN) DUAL DEMARCATION VOLTAGE SENSING BEFORE WRITES
(FR) DÉTECTION DE TENSION DE DOUBLE DÉMARCATION AVANT ÉCRITURES
Abrégé :
(EN) Nonvolatile memory (e.g. phase change memory) devices, systems, and methods that minimize energy expenditure and wear while providing greatly improved error rate with respect to marginal bits are disclosed and described.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à mémoire non volatile (par exemple une mémoire à changement de phase), des systèmes et des procédés qui réduisent au minimum la dépense d'énergie et l'usure tout en assurant un taux d'erreur considérablement amélioré par rapport aux bits marginaux.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)