Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017142636) STRUCTURE DE MÉLANGEUR À DIODES ANTIPARALLÈLES ALTERNÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/142636 N° de la demande internationale : PCT/US2017/012095
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 04.01.2017
CIB :
H03D 7/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
D
DÉMODULATION OU TRANSFERT DE MODULATION D'UNE ONDE PORTEUSE À UNE AUTRE
7
Transfert de modulation d'une porteuse à une autre, p.ex. changement de fréquence
02
au moyen de diodes
Déposants :
MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. [US/US]; 100 Chelmsford Street Lowell, MA 01851, US
Inventeurs :
CONVERT, Emmanuelle; AU
MAHON, Simon; AU
HARVEY, James; AU
Mandataire :
PERILLA, Jason, M.; US
Données relatives à la priorité :
15/044,40716.02.2016US
Titre (EN) ALTERNATING ANTI-PARALLEL DIODE MIXER STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE MÉLANGEUR À DIODES ANTIPARALLÈLES ALTERNÉES
Abrégé :
(EN) An apparatus includes a first circuit and a second circuit. The first circuit may be in a substrate and generally includes a first diode and a second diode (i) connected as anti-parallel diodes and (ii) physically adjacent to each other in the substrate. The second circuit may be in the substrate and generally includes a third diode and a fourth diode (i) connected as anti-parallel diodes and (ii) physically adjacent to each other in the substrate. The first circuit and the second circuit may be (a) connected in parallel, (b) physically adjacent to each other in the substrate and (c) configured to mix two input signals to generate an output signal. Each neighboring physical structure in the first circuit and the second circuit that forms a diode junction may be physically oriented in an opposite direction along a surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend un premier circuit et un second circuit. Le premier circuit peut être dans un substrat et comprend généralement une première diode et une deuxième diode (i) connectées comme des diodes antiparallèles et (ii) physiquement adjacentes l'une à l'autre dans le substrat. Le second circuit peut être dans le substrat et comprend généralement une troisième diode et une quatrième diode (i) connectées comme des diodes antiparallèles et (ii) physiquement adjacentes l'une à l'autre dans le substrat. Le premier circuit et le second circuit peuvent être (a) connectés en parallèle, (b) physiquement adjacents l'un à l'autre dans le substrat, et (c) configurés pour mélanger deux signaux d'entrée afin de générer un signal de sortie. Les structures physiquement voisines dans le premier circuit et le second circuit qui forment une jonction de diodes peuvent être physiquement orientées dans des sens contraires le long d'une surface du substrat.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)