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1. (WO2017142619) INTÉGRATION DE COMMUTATEURS DE LIGNE DE MOTS AVEC DES STRUCTURES DE TROU D'INTERCONNEXION DE CONTACT DE LIGNE DE MOTS
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N° de publication : WO/2017/142619 N° de la demande internationale : PCT/US2016/067872
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 20.12.2016
CIB :
H01L 27/1157 (2017.01) ,G11C 8/08 (2006.01) ,G11C 8/10 (2006.01) ,G11C 8/12 (2006.01) ,G11C 16/08 (2006.01) ,H01L 27/11573 (2017.01) ,H01L 27/11575 (2017.01) ,H01L 27/11582 (2017.01)
[IPC code unknown for H01L 27/1157]
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
08
Circuits de commande de lignes de mots, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, pour lignes de mots
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
10
Décodeurs
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
12
Circuits de sélection de groupe, p.ex. pour la sélection d'un bloc de mémoire, la sélection d'une puce, la sélection d'un réseau de cellules
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
08
Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 North Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
OGAWA, Hiroyuki; US
YOSHIDA, Makoto; US
YOSHIZAWA, Kazutaka; US
ARIKI, Takuya; US
MIWA, Toru; US
Mandataire :
RADOMSKY, Leon; US
COHN, Joanna; US
CONNOR, David; US
GAUL, Allison; US
GAYOSO, Tony; US
GERETY, Todd; US
GILL, Matthew; US
GREGORY, Shaun D.; US
HANSEN, Robert; US
HUANG, Stephen; US
HYAMS, David; US
JOHNSON, Timothy; US
MAZAHERY, Benjamin; US
MURPHY, Timothy; US
NGUYEN, Jaqueline; US
O'BRIEN, Michelle; US
PARK, Byeongju; US
RUTT, Steven; US
SIMON, Phyllis; US
SULSKY, Martin; US
Données relatives à la priorité :
15/046,78018.02.2016US
Titre (EN) INTEGRATION OF WORD LINE SWITCHES WITH WORD LINE CONTACT VIA STRUCTURES
(FR) INTÉGRATION DE COMMUTATEURS DE LIGNE DE MOTS AVEC DES STRUCTURES DE TROU D'INTERCONNEXION DE CONTACT DE LIGNE DE MOTS
Abrégé :
(EN) Word line switches in a word line decoder circuitry for a three-dimensional memory device can be formed as vertical field effect transistors overlying contact via structures to the electrically conductive layers for word lines. Via cavities in a dielectric material portion overlying stepped surfaces of the electrically conductive layers can be filled with a conductive material and recessed to form contact via structures. After forming lower active regions in the recesses, gate electrodes can be formed and patterned to form openings in areas overlying the contact via structures. Gate dielectrics can be formed on the sidewalls of the openings, and transistor channels can be formed inside the openings of the gate electrodes. Upper active regions can be formed over the transistor channels.
(FR) Selon la présente invention, des commutateurs de ligne de mots dans un circuit de décodeur de ligne de mots pour un dispositif mémoire tridimensionnel peuvent être formés en tant que transistors à effet de champ vertical recouvrant des structures de trous d'interconnexion de contact sur les couches électroconductrices pour des lignes de mot. Des cavités de trou d'interconnexion dans une partie matière diélectrique recouvrant des surfaces étagées des couches électroconductrices peuvent être remplies d'une matière conductrice et en retrait pour former des structures de trou d'interconnexion de contact. Après la formation de zones actives inférieures dans les renfoncements, des électrodes de grille peuvent être formées et modélisées de façon à former des ouvertures dans des zones recouvrant les structures de trou d'interconnexion de contact. Des diélectriques de grille peuvent être formés sur les parois latérales des ouvertures, et des canaux de transistor peuvent être formés à l'intérieur des ouvertures des électrodes de grille. Des régions actives supérieures peuvent être formées sur les canaux de transistor.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)