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1. (WO2017142153) COMPOSITION DE RÉSINE DE POLYSILSESQUIOXANE ET COMPOSITION DE RÉSERVE NOIRE DE PROTECTION CONTRE LA LUMIÈRE CONTENANT CETTE DERNIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/142153    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/010133
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 09.09.2016
CIB :
C08G 77/16 (2006.01), C08L 83/06 (2006.01), C08K 3/04 (2006.01), G03F 7/075 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), H01L 51/52 (2006.01), G06F 3/041 (2006.01), G02F 1/1335 (2006.01)
Déposants : LTC CO., LTD [KR/KR]; 6F, 55, Pyeongchon-daero 212beon-gil, Dongan-gu Anyang-si, Gyeonggi-do 14067 (KR)
Inventeurs : KIM, Jun Young; (KR).
KIM, Hwa Young; (KR).
CHOI, Ho Sung; (KR)
Mandataire : HONESTY & JR PARTNERS INTELLECTUAL PROPERTY LAW GROUP; 5F, 615 Sunreung-ro, Gangnam-gu, Seoul 06103 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0019718 19.02.2016 KR
Titre (EN) POLYSILSESQUIOXANE RESIN COMPOSITION AND LIGHT-SHIELDING BLACK RESIST COMPOSITION CONTAINING SAME
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE DE POLYSILSESQUIOXANE ET COMPOSITION DE RÉSERVE NOIRE DE PROTECTION CONTRE LA LUMIÈRE CONTENANT CETTE DERNIÈRE
(KO) 폴리실세스퀴옥산 수지 조성물 및 이를 포함하는 차광용 블랙 레지스트 조성물
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to: a high heat resistant and low dielectric polysilsesquioxane resin composition applicable to a liquid crystal display, an OLED, a touch panel, electronic paper, a flexible display and the like; and a light-shielding black resist composition containing the same. More specifically, the present invention relates to a light-shielding black resist composition having high heat resistant and low dielectric characteristics, and comprising: 1) a polysilsesquioxane random copolymer resin composition, which contains a polar heterocyclic structure and can be curable by UV rays; 2) a carbon black dispersion dispersed in the polysilsesquioxane resin and coated therewith; and 3) a photoinitiator. Compared with conventional acrylic or cardo-based black resist, the black resist resin composition of the present invention has excellent heat resistance even in a post high-temperature process of 350°C or higher, has no optical density (O.D.) deterioration, and can satisfy low dielectric properties at the same time.
(FR)La présente invention concerne : une composition de résine de polysilsesquioxane résistant fortement à la chaleur et faiblement diélectrique applicable à un affichage à cristaux liquides, un OLED, un panneau tactile, un papier électronique, un affichage souple et similaires ; et une composition de réserve noire de protection contre la lumière contenant cette dernière. Plus spécifiquement, la présente invention concerne une composition de réserve noire de protection contre la lumière présentant des caractéristiques de résistance élevée à la chaleur et faiblement diélectriques, et comprenant : 1) un composition de résine de copolymère aléatoire de polysilsesquioxane, qui contient une structure hétérocyclique polaire et peut être durcissable par exposition à des rayonnements UV ; 2) une dispersion de noir de carbone dispersée dans la résine de polysilsesquioxane et enduite de cette dernière ; et 3) un photo-initiateur. Comparé à la réserve noire acrylique ou à base de cardo classique, la composition de résine de réserve noire de la présente invention présente une excellente résistance à la chaleur même dans un post-procédé à température élevée de 350 °C ou plus, ne présente pas de détérioration de densité optique (d.o.), et peut satisfaire en même temps des caractéristiques diélectriques faibles.
(KO)본 발명은 액정디스플레이, OLED, 터치패널, 전자종이, 플렉서블디스플레이 등에 응용 가능한 고내열성 및 저유전 폴리실세스퀴옥산 수지 조성물 및 이를 포함하는 차광용 블랙 레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 1) 극성의 헤테로환 구조를 포함하고 자외선에 경화가 가능한 폴리실세스퀴옥산 랜덤 공중합체 수지 조성물; 2) 상기 폴리실세스퀴옥산 수지로 분산 시켜 피복 처리한 카본 블랙 분산액; 3) 광개시제를 포함하는 고내열 및 저유전 특성의 차광용 블랙 레지스트 조성물에 관한 것이다. 기존 아크릴 내지는 카도계 블랙 레지스트와 비교하면 본 발명의 블랙 레지스트 수지 조성물은 350도 이상의 고온 후 공정에도 내열성이 우수하며, 광학밀도 (O.D.) 저하가 없으며 저유전 특성을 동시에 만족할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)