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1. (WO2017142032) ANTENNE À BALAYAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/142032    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/005753
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 16.02.2017
CIB :
H01Q 3/34 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01), G02F 1/1339 (2006.01), G02F 1/1341 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), H01Q 3/44 (2006.01), H01Q 13/22 (2006.01), H01Q 21/06 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : MIZUSAKI Masanobu; (--).
TAKAHASHI Jumpei; (--).
TSUCHIYA Hiroshi; (--).
MINOURA Kiyoshi; (--)
Mandataire : OKUDA Seiji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-030408 19.02.2016 JP
Titre (EN) SCANNING ANTENNA AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ANTENNE À BALAYAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 走査アンテナおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A scanning antenna (1000) in which antenna units (U) are arrayed has: a first dielectric substrate (1); a TFT substrate (101) having a TFT, a gate bus line, a source bus line, and patch electrodes (15); a second dielectric substrate (51); a slot substrate (201) having slot electrodes (55); a liquid crystal layer (LC) provided between the TFT substrate and the slot substrate; a seal part that envelopes the liquid crystal layer; and a reflection conductive plate (65). The slot electrodes have slots (57) arranged correspondingly to the patch electrodes. The seal part has: a main seal part (73Fa) defining an inlet (74Fa); and an end seal part (75Fa) that seals the inlet (74Fa). The end seal part (75Fa) is made of a thermosetting sealing material.
(FR)Une antenne à balayage (1000) dans laquelle des unités d'antenne (U) sont disposées en réseau comporte : un premier substrat diélectrique (1) ; un substrat de transistor à couches minces (101) ayant un transistor à couches minces, une ligne de bus de grille, une ligne de bus de source, et des électrodes de connexion (15) ; un second substrat diélectrique (51) ; un substrat de fente (201) ayant des électrodes de fente (55) ; une couche de cristaux liquides (LC) disposée entre le substrat de transistor à couches minces et le substrat de fente ; une partie d'étanchéité qui enveloppe la couche de cristaux liquides ; et une plaque conductrice de réflexion (65). Les électrodes de fente présentent des fentes (57) disposées de manière à correspondre aux électrodes de connexion. La partie d'étanchéité comprend : une partie d'étanchéité principale (73Fa) définissant une entrée (74Fa) ; et une partie d'étanchéité d'extrémité (75Fa) qui ferme l'entrée (74Fa). La partie d'étanchéité d'extrémité (75Fa) est constituée d'un matériau d'étanchéité thermodurcissable.
(JA)走査アンテナ(1000)は、アンテナ単位(U)が配列された走査アンテナであって、第1誘電体基板(1)と、TFTと、ゲートバスラインと、ソースバスラインと、パッチ電極(15)とを有するTFT基板(101)と、第2誘電体基板(51)と、スロット電極(55)と有するスロット基板(201)と、TFT基板とスロット基板との間に設けられた液晶層(LC)と、液晶層を包囲するシール部と、反射導電板(65)とを有し、スロット電極は、パッチ電極にそれぞれ対応して配置されたスロット(57)を有し、シール部は、注入口(74Fa)を画定するメインシール部(73Fa)と、注入口(74Fa)を封止するエンドシール部(75Fa)とを有し、エンドシール部(75Fa)は熱硬化型封止材で形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)