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1. (WO2017141999) ÉLÉMENT À MAGNÉTORÉSISTANCE À EFFET TUNNEL ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
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N° de publication : WO/2017/141999 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/005608
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 16.02.2017
CIB :
H01L 43/08 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01F 10/14 (2006.01) ,H01F 10/30 (2006.01) ,H01F 41/18 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08
caractérisées par les couches magnétiques
10
caractérisées par la composition
12
Métaux ou alliages
14
contenant du fer ou du nickel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
26
caractérisées par le substrat ou par les couches intermédiaires
30
caractérisées par la composition des couches intermédiaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
41
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des dispositifs couverts par la présente sous-classe
14
pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats
18
par pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
Inventeurs :
安藤 康夫 ANDO, Yasuo; JP
大兼 幹彦 OOGANE, Mikihiko; JP
藤原 耕輔 FUJIWARA, Kosuke; JP
城野 純一 JONO, Junichi; JP
Mandataire :
特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都千代田区有楽町一丁目1番3号 東京宝塚ビル17階 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
Données relatives à la priorité :
2016-02956619.02.2016JP
Titre (EN) TUNNEL MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT À MAGNÉTORÉSISTANCE À EFFET TUNNEL ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
(JA) トンネル磁気抵抗素子及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Heat resistance of a tunnel magnetic resistance element is improved, and excellent magnetic resistance characteristics are acquired after heat treatment in a magnetic field at higher temperatures. A free magnetic layer (4) has: a ferromagnetic layer (43) joined to an insulating layer (5); a soft magnetic layer (41) comprising NiFe; and a magnetic bonding layer (42) interposed therebetween, the material of said magnetic bonding layer comprising Ru or Ta, and the layer thickness being 1.0 nm to 1.3 nm.
(FR) La résistance thermique d'un élément à magnétorésistance à effet tunnel est améliorée, et d'excellentes caractéristiques de magnétorésistance sont acquises après traitement thermique dans un champ magnétique à des températures élevées. Une couche magnétique libre (4) comprend : une couche ferromagnétique (43) unie à une couche isolante (5); une couche magnétique douce (41) contenant du NiFe; et une couche de liaison magnétique (42) interposée entre elles, le matériau de ladite couche de liaison magnétique contenant du Ru ou du Ta, et l'épaisseur de couche allant de 1,0 nm à 1,3 nm.
(JA) トンネル磁気抵抗素子の耐熱性を向上し、より高温の磁場中熱処理後に優れた磁気抵抗特性を獲得させる。自由磁性層(4)は、絶縁層(5)に接合する強磁性層(43)、NiFeからなる軟磁性層(41)、及びこれらの間に介在する磁気結合層(42)を有し、当該磁気結合層の材料がRu又はTaからなり、層厚が1.0nmから1.3nmである。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)