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1. (WO2017141894) DISPOSITIF DE SOURCE DE LUMIÈRE LASER À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2017/141894 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/005259
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 14.02.2017
CIB :
H01S 5/024 (2006.01) ,H01L 23/473 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
024
Dispositions pour le refroidissement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
46
impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation
473
par une circulation de liquides
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
40
Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
森田 大輔 MORITA Daisuke; JP
玉谷 基亮 TAMAYA Motoaki; JP
池田 一貴 IKEDA Kazutaka; JP
玄田 裕美 GENDA Yumi; JP
Mandataire :
大岩 増雄 OIWA Masuo; JP
村上 啓吾 MURAKAMI Keigo; JP
竹中 岑生 TAKENAKA Mineo; JP
吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02554515.02.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER LIGHT SOURCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE SOURCE DE LUMIÈRE LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ光源装置
Abrégé :
(EN) Disclosed is a semiconductor laser light source device wherein: a first electrode of a board-shaped semiconductor laser array is bonded to an electrode layer of a sub-mount substrate wherein the electrode layer is formed on one surface of a substrate formed of an electrical insulation material, said semiconductor laser array having a plurality of semiconductor laser elements that are aligned in an array form, and having the first electrode that is formed on one surface, and a second electrode that is formed on the other surface; and the sub-mount substrate surface on the reverse side of the surface on which the electrode layer is formed is bonded to a metal heat sink. A cooling section wherein a plurality of flat flow channels are aligned at a pitch equal to or less than 1 mm is formed in an internal region formed by projecting, in the Y direction, a heat sink region where the sub-mount substrate is bonded, each of said flat flow channels having a width within a range of 200-600 μm, and a depth within a range of 3-5mm.
(FR) L’invention concerne un dispositif de source de lumière laser à semi-conducteurs, dans lequel : une première électrode d’un réseau laser à semi-conducteurs en forme de plaque est fixée à une couche d’électrode d’un substrat d’embase, la couche d’électrode étant formée sur une surface d’un substrat constitué d’un matériau d’isolation électrique, ledit réseau laser à semi-conducteurs ayant une pluralité d’éléments laser à semi-conducteurs qui sont alignés selon un agencement en réseau, dont la première électrode est formée sur une surface et dont une deuxième électrode est formée sur l’autre surface ; et la surface du substrat d’embase située sur le côté opposé à la surface sur laquelle la couche d’électrode est formée est fixée à un radiateur métallique. Une section de refroidissement, dans laquelle les canaux d’une pluralité de canaux d’écoulement plats sont alignés à un pas égal ou inférieur à 1 mm, est formée dans une région intérieure formée par saillie, dans la direction Y, d’une région faisant radiateur dans laquelle le substrat d’embase est fixé, chacun desdits canaux d’écoulement plats présentant une largeur située dans une plage de 200 à 600 μm, et une profondeur située dans une plage de 3 à 5 mm.
(JA) 電気絶縁性材料の基板の片面に電極層が形成されたサブマウント基板の電極層に、複数の半導体レーザ素子がアレイ状に並べられ、片面に第一電極、他面に第二電極が形成された板状の半導体レーザアレイの第一電極が接合され、サブマウント基板の電極層が形成された面とは反対側の面が金属のヒートシンクに接合された半導体レーザ光源装置において、ヒートシンクのサブマウント基板が接合された領域がY方向に投影された内部領域に、幅が200μmから600μmの範囲の寸法、深さが3mmから5mmの範囲の寸法の扁平形状の扁平流路がピッチ1mm以下で複数並んだ冷却部が形成されるようにした。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)