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1. (WO2017141835) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, FILM FORMANT PELLICULE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE
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N° de publication : WO/2017/141835 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/004988
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 10.02.2017
CIB :
C23C 16/42 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
42
Siliciures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36
Carbures
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants : AIR WATER INC.[JP/JP]; 2, Kita 3-jo Nishi 1-chome, Chuo-ku, Sapporo-shi Hokkaido 0600003, JP
Inventeurs : OKU, Hidehiko; JP
HIDE, Ichiro; JP
Mandataire : TSUBAKI, Yutaka; JP
Données relatives à la priorité :
2016-03023519.02.2016JP
2016-11365607.06.2016JP
2017-00811520.01.2017JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PELLICLE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, FILM FORMANT PELLICULE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE
(JA) 化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are a compound semiconductor substrate, a pellicle film, and a method for manufacturing a compound semiconductor substrate with which it is possible to reduce the film thickness of an SiC film. This method for manufacturing a compound semiconductor substrate is provided with a step for forming an SiC film on the upper surface of an Si substrate, and a step for exposing at least part of the lower surface of the SiC film by wet etching. In the step for exposing at least part of the lower surface of the SiC film, at least the Si substrate and the SiC film are caused to move relative to a chemical solution used in the wet etching.
(FR) La présente invention concerne un substrat semi-conducteur composite, un film formant pellicule et un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur composite permettant de réduire l'épaisseur de film d'un film de SiC. Ce procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur composite comprend une étape consistant à former un film de SiC sur la surface supérieure d'un substrat de Si, et une étape consistant à exposer au moins une partie de la surface inférieure du film de SiC par gravure humide. Dans l'étape d'exposition d'au moins une partie de la surface inférieure du film de SiC, le substrat de Si au moins et le film de SiC sont amenés à se déplacer par rapport à une solution chimique utilisée dans la gravure humide.
(JA) SiC膜の薄膜化を図ることのできる化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法を提供する。 化合物半導体基板の製造方法は、Si基板の表面側にSiC膜を形成する工程と、ウエットエッチングによりSiC膜の裏面の少なくとも一部を露出させる工程とを備えている。SiC膜の裏面の少なくとも一部を露出させる工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対して少なくともSi基板およびSiC膜を相対的に動かす。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)