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1. (WO2017141811) CIRCUIT DE PROTECTION, PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT DE CIRCUIT DE PROTECTION ET DISPOSITIF À CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2017/141811 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/004743
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
H03K 17/08 (2006.01) ,H02J 7/00 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD.[JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
Inventeurs : TAKAHASHI Naoki; JP
TAKAHASHI Shuntaro; JP
TAKUMA Toru; JP
Mandataire : MIYOSHI Hidekazu; JP
TERAYAMA Keishin; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02850818.02.2016JP
2016-02851018.02.2016JP
Titre (EN) PROTECTIVE CIRCUIT, METHOD FOR OPERATING PROTECTIVE CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION, PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT DE CIRCUIT DE PROTECTION ET DISPOSITIF À CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 保護回路、および保護回路の動作方法、および半導体集積回路装置
Abrégé : front page image
(EN) A protective circuit (12), provided with a high-side switch (10) connected to a power supply terminal (102) to which a predetermined power supply voltage VBB is supplied from an automotive battery; and an NMOS transistor MT1 connected to the high-side switch (10), the NMOS transistor MT1 preventing the conduction of power to the high-side switch (10) when an automotive battery is reverse-connected to the power supply terminal (102). The protective circuit (12) protects a semiconductor integrated circuit from breakdown due to reverse connection of an external power supply. A semiconductor integrated circuit device has the above protective circuit for protecting, from electrostatic breakdown, a semiconductor integrated circuit connected between a ground terminal and a power supply terminal (102) to which a predetermined power supply voltage is supplied from an external power supply. The protective circuit is connected to a clamp circuit unit (131) inserted between the power supply terminal (102) and the ground terminal, and protects the clamp circuit unit (131) from breakdown when an external power supply is reverse-connected to the power supply terminal (102).
(FR) La présente invention concerne un circuit de protection (12), pourvu d'un commutateur côté haut (10) connecté à une borne d'alimentation électrique (102) à laquelle est fournie une tension d'alimentation prédéfinie VBB au moyen d'une batterie automobile ; et d'un transistor NMOS MT1 connecté au commutateur côté haut (10), le transistor NMOS MT1 empêchant la conduction d'électricité vers le commutateur côté haut (10) lorsqu'une batterie automobile est inversement connectée à la borne d'alimentation électrique (102). Ce circuit de protection (12) protège un circuit intégré à semi-conducteurs d'un claquage dû à une connexion inverse d'une alimentation électrique externe. Un dispositif à circuit intégré à semi-conducteurs est doté du circuit de protection susmentionné en vue de protéger, d'un claquage électrostatique, un circuit intégré à semi-conducteurs connecté entre une borne de masse et une borne d'alimentation électrique (102) à laquelle est fournie une tension d'alimentation prédéfinie au moyen d'une alimentation externe. Le circuit de protection est connecté à une unité circuit de verrouillage (131) insérée entre la borne d'alimentation électrique (102) et la borne de masse, et protège l'unité circuit de verrouillage (131) d'un claquage lorsqu'une alimentation externe est inversement connectée à la borne d'alimentation électrique (102).
(JA) 保護回路(12)は、車載用バッテリから所定の電源電圧VBBが供給される電源端子(102)に接続されたハイサイドスイッチ(10)と、ハイサイドスイッチ(10)に接続されて、電源端子(102)への車載用バッテリの逆接続時に、ハイサイドスイッチ(10)への通電を阻止するNMOSトランジスタMT1とを備え、外部電源の逆接続による破壊から半導体集積回路を保護する。 半導体集積回路装置は、外部電源から所定の電源電圧が供給される電源端子(102)とグランド端子との間に接続される半導体集積回路を静電気破壊から保護する上記保護回路を有する。保護回路は、電源端子(102)とグランド端子との間に挿入されたクランプ回路部(131)に接続されて、電源端子(102)への外部電源の逆接続時に、クランプ回路部(131)を破壊から保護する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)