WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017141743) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE DÉTERMINATION DE TEMPÉRATURE DE JONCTION DE PUCE DE MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/141743    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/004136
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 30.01.2017
CIB :
G01K 7/16 (2006.01), H03K 17/12 (2006.01), G01R 31/26 (2014.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE B.V. [NL/NL]; Capronilaan 46, NS Schiphol Rijk 1119 (NL) (JP only)
Inventeurs : EWANCHUK, Jeffrey; (FR).
MOLLOV, Stefan; (FR).
ROBINSON, Jonathan; (FR).
BRANDELERO, Julio; (FR)
Mandataire : SOGA, Michiharu; S. SOGA & CO., 8th Floor, Kokusai Building, 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
16156238.4 18.02.2016 EP
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING JUNCTION TEMPERATURE OF DIE OF SEMICONDUCTOR POWER MODULE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE DÉTERMINATION DE TEMPÉRATURE DE JONCTION DE PUCE DE MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A method for determining the junction temperature of at least one die of a semiconductor power module, the semiconductor power module being composed of plural dies connected in parallel and switching between conducting and non conductor states according to pattern cycles, the method comprises the steps of: disabling the conducting of the at least one die during at least a fraction of one switching cycle, applying a current limited voltage to the gate of the at least one die during a period of time of the cycle wherein the at least one die is not conducting, the resulting voltage excursion having a value that does not enable the die to be conducting, measuring the voltage at the gate of the die, deriving from the measured voltage a temperature variation of the junction of the at least one die or the temperature of the junction of the die.
(FR)L'invention concerne un procédé pour déterminer la température de jonction d'au moins une puce d'un module semi-conducteur de puissance, le module semi-conducteur de puissance étant composé de plusieurs puces connectées en parallèle et commutant entre des états conducteur et non conducteur selon des cycles de motif, le procédé comprenant les étapes consistant : à désactiver la conduction d'au moins une puce pendant au moins une fraction d'un cycle de commutation, à appliquer une tension à courant limité à la grille de ladite au moins une puce pendant une période de temps du cycle dans laquelle ladite au moins une puce est non conductrice, l'excursion de tension résultante ayant une valeur qui ne permet pas à la puce d'être conductrice, à mesurer la tension à la grille de la puce, à dériver à partir de la tension mesurée une variation de température de la jonction de ladite au moins une puce ou la température de la jonction de la puce.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)