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1. (WO2017141736) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication :    WO/2017/141736    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/004031
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 03.02.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585 (JP)
Inventeurs : HARUMOTO, Masahiko; (JP).
ASAI, Masaya; (JP).
TANAKA, Yuji; (JP).
KANEYAMA, Koji; (JP)
Mandataire : FUKUSHIMA, Yoshito; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-028012 17.02.2016 JP
Titre (EN) SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, after forming a resist film including a metal component and a photosensitive material on a surface to be treated of a substrate (W), the peripheral edges of the substrate are irradiated with light by an edge exposure unit (41). As a result, the portion of the resist film at the peripheral edges of the substrate is exposed to light. Then, a developing solution is supplied to the peripheral edges of the substrate by a developing solution nozzle (43), and development treatment of the light exposed portions of the resist film is performed. The portions of the resist film formed at the peripheral edges of the substrate are thereby removed. Thereafter, the substrate is transported to a light exposure device (15). By performing light exposure treatment on the substrate in the light exposure device, a light exposure pattern is formed on the resist film, and then development treatment of the resist film is performed by supplying a developing solution to the substrate that has undergone light exposure treatment in a development treatment unit (139).
(FR)Dans la présente invention, après la formation d'un film de résist comprenant un composant métallique et un matériau photosensible sur une surface à traiter d'un substrat (W), les bords périphériques du substrat sont exposés à de la lumière par une unité d'exposition de bord (41). En conséquence, la partie du film de résist située au niveau des bords périphériques du substrat est exposée à la lumière. Une solution de développement est ensuite apportée aux bords périphériques du substrat par une buse de solution de développement (43), et un traitement de développement des parties du film de résist exposées à la lumière est effectué. Les parties du film de résist situées au niveau des bords périphériques du substrat sont ainsi éliminées. Ensuite, le substrat est transporté vers un dispositif d'exposition à la lumière (15). Par réalisation d'un traitement d'exposition à la lumière sur le substrat dans le dispositif d'exposition à la lumière, un motif d'exposition à la lumière est formé sur le film de résist, puis un traitement de développement du film de résist est effectué par apport d'une solution de développement au substrat qui a subi le traitement d'exposition à la lumière dans une unité de traitement de développement (139).
(JA)基板(W)の被処理面に金属成分および感光性材料を含むレジスト膜が形成された後、エッジ露光部(41)により基板の周縁部に光が照射される。これにより、基板の周縁部上のレジスト膜の部分が露光される。続いて、現像液ノズル(43)により基板の周縁部に現像液が供給されることにより、露光されたレジスト膜の部分の現像処理が行われる。これにより、基板の周縁部上に形成されたレジスト膜の部分が除去される。その後、基板が露光装置(15)に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われることにより、レジスト膜に露光パターンが形成され、続いて現像処理ユニット(139)において露光処理後の基板に現像液が供給されることにより、レジスト膜の現像処理が行われる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)