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N° de publication :    WO/2017/141682    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/003277
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 31.01.2017
H01S 5/04 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), H01L 35/18 (2006.01), H01L 35/26 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
Inventeurs : NAGASE Kazuya; (JP).
OKAMOTO Kuniyoshi; (JP)
Mandataire : MIYOSHI Hidekazu; (JP).
TERAYAMA Keishin; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-026574 16.02.2016 JP
(JA) 熱光変換素子および熱電変換素子
Abrégé : front page image
(EN)A thermo-optical conversion element (2) is provided with: a substrate (10); a first semiconductor layer (16) disposed on the substrate (10); a multiple quantum well layer (14) disposed on the first semiconductor layer (16); a second semiconductor layer (12) disposed on the multiple quantum well layer (14); and grid points (12A) which are periodically disposed in a first photonic crystal (PC) structure comprising the first semiconductor layer (16), the multiple quantum well layer (14), and the second semiconductor layer (12), and which are capable of diffracting light waves of a photonic band. The multiple quantum well layer (14) has quantum levels formed to at least the second order, and light that has been energy-converted from heat by intersubband transition can be conducted in an arbitrary direction by the first PC structure. A thermo-optical conversion element and a thermoelectric conversion element which are capable of controlling heat propagation using photothermal conversion and the PC and which are easy to handle are provided.
(FR)L'invention concerne un élément de conversion thermo-optique (2) comprenant : un substrat (10); une première couche semi-conductrice (16) disposée sur le substrat (10); une couche à puits quantiques multiples (14) disposée sur la première couche semi-conductrice (16); une deuxième couche semi-conductrice (12) disposée sur la couche à puits quantiques multiples (14); et des points de grille (12A) disposés périodiquement dans une première structure de cristal photonique (PC) comprenant la première couche semi-conductrice (16), la couche à puits quantiques multiples (14) et la deuxième couche semi-conductrice (12), et qui sont aptes à diffracter des ondes lumineuses d'une bande photonique. La couche à puits quantiques multiples (14) est dotée de niveaux quantiques formés sur au moins le deuxième ordre, et la lumière qui a subi une conversion énergétique à partir de chaleur par transition entre sous-bandes peut être conduite dans une direction arbitraire par la première structure de cristal photonique. L'invention concerne également un élément de conversion thermo-optique et un élément de conversion thermoélectrique aptes à réguler la propagation de chaleur au moyen d'une conversion photothermique et du cristal photonique, et qui sont faciles à manipuler.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)