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1. (WO2017141652) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2017/141652    International Application No.:    PCT/JP2017/002618
Publication Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Jan 27 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/26
H01L 21/683
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: WAKABAYASHI Taishi
若林 大士
NIITANI Miho
二井谷 美保
MEGURO Kenji
目黒 賢二
Title: PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de traitement thermique de tranches de semi-conducteur, un suscepteur sur lequel peut être placée une tranche de semi-conducteur étant disposé dans un four de traitement thermique mono-tranche, et la tranche de semi-conducteur placée sur le suscepteur étant soumise à un traitement thermique. Le procédé de traitement thermique de tranches de semi-conducteur est caractérisé en ce que: avant le traitement thermique, un préchauffage destiné à maintenir la tranche pendant un temps prédéterminé à une température prédéterminée est effectué dans le four de traitement thermique, ladite température prédéterminée étant inférieure à la température à laquelle le traitement thermique doit être effectué; et pendant que le préchauffage est effectué, la tranche de semi-conducteur est maintenue en étant séparée du suscepteur. Par conséquent, un procédé de traitement thermique de tranches de semi-conducteur, par lequel la productivité n'est pas significativement réduite même dans un traitement thermique à haute température, et un glissement de la tranche de semi-conducteur peut être contrecarré, est proposé.