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1. (WO2017141652) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/141652 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/002618
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 26.01.2017
CIB :
H01L 21/26 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.[JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs : WAKABAYASHI Taishi; JP
NIITANI Miho; JP
MEGURO Kenji; JP
Mandataire : YOSHIMIYA Mikio; JP
KOBAYASHI Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02981519.02.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER HEAT TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの熱処理方法
Abrégé : front page image
(EN) The present invention is a semiconductor wafer heat treatment method, wherein a susceptor on which a semiconductor wafer can be placed is disposed in a single-wafer heat treatment furnace, and the semiconductor wafer placed on the susceptor is subjected to heat treatment. The semiconductor wafer heat treatment method is characterized in that: prior to the heat treatment, a preheating for holding the wafer for a predetermined time at a predetermined temperature is performed in the heat treatment furnace, said predetermined temperature being lower than the temperature at which the heat treatment is to be performed; and while the preheating is performed, the semiconductor wafer is held by being separated from the susceptor. Consequently, the semiconductor wafer heat treatment method, whereby productivity is not significantly reduced even in the high-temperature heat treatment, and a slip of the semiconductor wafer can be suppressed, is provided.
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement thermique de tranches de semi-conducteur, un suscepteur sur lequel peut être placée une tranche de semi-conducteur étant disposé dans un four de traitement thermique mono-tranche, et la tranche de semi-conducteur placée sur le suscepteur étant soumise à un traitement thermique. Le procédé de traitement thermique de tranches de semi-conducteur est caractérisé en ce que: avant le traitement thermique, un préchauffage destiné à maintenir la tranche pendant un temps prédéterminé à une température prédéterminée est effectué dans le four de traitement thermique, ladite température prédéterminée étant inférieure à la température à laquelle le traitement thermique doit être effectué; et pendant que le préchauffage est effectué, la tranche de semi-conducteur est maintenue en étant séparée du suscepteur. Par conséquent, un procédé de traitement thermique de tranches de semi-conducteur, par lequel la productivité n'est pas significativement réduite même dans un traitement thermique à haute température, et un glissement de la tranche de semi-conducteur peut être contrecarré, est proposé.
(JA) 本発明は、枚葉式の熱処理炉内に、半導体ウェーハを載置可能なサセプタを配設し、該サセプタに載置された半導体ウェーハに熱処理を行う半導体ウェーハの熱処理方法であって、前記熱処理の前に、前記熱処理炉内において、前記熱処理の温度よりも低温の所定温度で所定時間保持する予備加熱を行い、該予備加熱中は、前記半導体ウェーハを前記サセプタから離間させて保持することを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方法である。これにより、高温熱処理時においても生産性を大きく低下させず、半導体ウェーハのスリップを抑制できる半導体ウェーハの熱処理方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)