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1. (WO2017141612) COMPOSITION DE FORMATION DE PELLICULE DE SOUS-COUCHE RÉSISTANTE, PELLICULE DE SOUS-COUCHE RÉSISTANTE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT À MOTIFS
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N° de publication : WO/2017/141612 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/001616
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 18.01.2017
CIB :
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
若松 剛史 WAKAMATSU Goji; JP
野坂 直矢 NOSAKA Naoya; JP
阿部 翼 ABE Tsubasa; JP
酒井 一憲 SAKAI Kazunori; JP
松村 裕史 MATSUMURA Yuushi; JP
生井 準人 NAMAI Hayato; JP
Mandataire :
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02640815.02.2016JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM AND METHOD FOR PRODUCING PATTERNED SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE PELLICULE DE SOUS-COUCHE RÉSISTANTE, PELLICULE DE SOUS-COUCHE RÉSISTANTE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT À MOTIFS
(JA) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a composition for forming a resist underlayer film, which is capable of forming a resist underlayer film having excellent planarity as well as excellent solvent resistance, etching resistance and heat resistance, and which exhibits excellent storage stability. The present invention is a composition for forming a resist underlayer film, which contains a solvent and a first compound that has a first group represented by formula (1) and a partial structure containing an aromatic ring. In formula (1), R1 represents a single bond or an oxygen atom; R2 represents a divalent chain or alicyclic hydrocarbon group having 1-30 carbon atoms; and * represents a binding site to a moiety other than the first group in the first compound. It is preferable that the first group is a cyanoalkyl group or a cyanoalkyloxy group. It is also preferable that the first compound has an aromatic ring to which the first group is bonded.
(FR) L’objet de la présente invention est de réaliser une composition de formation d’une pellicule de sous-couche résistante, laquelle peut former une pellicule de sous-couche résistante dont la planarité est excellente et dont la résistance aux solvants, la résistance à la gravure et la résistance à la chaleur sont excellentes, et qui présente une excellente stabilité de conservation. La présente invention est une composition de formation d’une pellicule de sous-couche résistante, laquelle contient un solvant et un premier composé qui comporte un premier groupe représenté par la formule (1) et une structure partielle contenant un cycle aromatique. Dans la formule (1) R1 représente une liaison simple ou un atome d’oxygène ; R2 représente une chaîne divalente ou un groupe hydrocarbure alicyclique comportant 1 à 30 atomes de carbone ; et * représente un site de liaison à un groupe fonctionnel autre que le premier groupe dans le premier composé. Il est préférable que le premier groupe soit un groupe cyanoalkyle ou un groupe cyanoalkyloxy. Il est également préférable que le premier composé comporte un cycle aromatique auquel est lié le premier groupe.
(JA) 平坦性に優れると共に溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成でき、かつ保存安定性にも優れるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される第1基と芳香環を含む部分構造とを有する第1化合物、及び溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Rは、単結合又は酸素原子である。Rは、炭素数1~30の2価の鎖状又は脂環の炭化水素基である。*は、上記第1化合物における上記第1基以外の部分との結合部位を示す。上記第1基は、シアノアルキル基又はシアノアルキルオキシ基が好ましい。上記第1化合物は、上記第1基が結合する芳香環を有する化合物が好ましい。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)