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1. (WO2017141605) ÉBAUCHE DE MASQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE À CHANGEMENT DE PHASE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2017/141605    International Application No.:    PCT/JP2017/001343
Publication Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Jan 18 00:59:59 CET 2017
IPC: G03F 1/26
C23C 14/04
C23C 14/06
G03F 1/80
H01L 21/3065
Applicants: HOYA CORPORATION
HOYA株式会社
Inventors: OHKUBO, Ryo
大久保 亮
NOZAWA, Osamu
野澤 順
SHISHIDO, Hiroaki
宍戸 博明
Title: ÉBAUCHE DE MASQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE À CHANGEMENT DE PHASE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
L'invention concerne une ébauche de masque (100) pour fabriquer un masque à changement de phase, un motif fin et de grande précision pouvant être formé sur un film de protection contre la lumière (3). L'ébauche de masque (100) comprend le film de protection contre la lumière (3) comprenant un matériau contenant du chrome, de l'oxygène et du carbone, et un film de masque dur (4) comprenant un matériau contenant un ou plusieurs éléments choisis parmi le silicium et le tantale, le film de protection contre la lumière (3) et le film de masque dur (4) étant disposés dans cet ordre sur un substrat de transmission de lumière (1). L'ébauche de masque est caractérisée en ce que : le film de protection contre la lumière (3) est un film monocouche ayant une partie à gradient de composition dans laquelle la teneur en oxygène augmente sur la surface du film de masque dur (4) et les régions à proximité ; le film de protection contre la lumière (3) est configuré de telle sorte que le pic maximal du spectre étroit N1s obtenu à partir d'une analyse basée sur la spectroscopie photoélectronique par rayons X est inférieur ou égal à la limite inférieure de détection ; et une partie du film de protection contre la lumière (3), excluant la partie à gradient de composition, a une teneur en chrome de 50 atm.% ou plus, et a un pic maximal ayant une énergie de liaison où le spectre étroit Cr2p obtenu à partir de l'analyse basée sur la spectroscopie photoélectronique par rayons X est de 574 eV ou moins.