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1. (WO2017141557) CIBLE DE PULVÉRISATION POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE ET FILM MINCE MAGNÉTIQUE
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N° de publication : WO/2017/141557 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/000021
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 04.01.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 04.10.2017
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,G11B 5/64 (2006.01) ,G11B 5/851 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01F 41/18 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
62
Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié
64
comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
84
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
851
Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
08
caractérisées par les couches magnétiques
10
caractérisées par la composition
12
Métaux ou alliages
16
contenant du cobalt
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
41
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des dispositifs couverts par la présente sous-classe
14
pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats
18
par pulvérisation cathodique
Déposants :
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
Inventeurs :
小庄 孝志 KOSHO Takashi; JP
Mandataire :
小越 勇 OGOSHI Isamu; JP
小越 一輝 OGOSHI Kazuteru; JP
Données relatives à la priorité :
2016-03048819.02.2016JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC THIN FILM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE ET FILM MINCE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
Abrégé :
(EN) A sputtering target or a film that is characterized by having 0.1-10mol% of an oxide of one or more elements selected from Ca, K, Na, Pb, and Zn, 45mol% or less of Cr, and 45mol% or less of Pt, the remainder comprising Co. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target that can greatly reduce particles originating from an oxide and can significantly improve yield during film formation. The present invention thus allows film formation for a high quality magnetic recording layer, and can improve yield for a magnetic recording medium.
(FR) Cette invention concerne une cible de pulvérisation ou un film qui est caractérisé en ce qu'il possède de 0,1 à 10 % en moles d'un oxyde d'un ou plusieurs éléments choisis parmi Ca, K, Na, Pb et Zn, 45 % ou moins en moles de Cr, et 45 % ou moins en moles de Pt, le reste comprenant du Co. L'invention a pour objet de fournir un cible de pulvérisation cathodique apte à réduire considérablement les particules provenant d'un oxyde et à améliorer significativement le rendement pendant la formation du film. L'invention permet ainsi de former un film pour une couche d'enregistrement magnétique de grande qualité, et d'améliorer le rendement pour un support d'enregistrement magnétique.
(JA) Ca、K、Na、Pb、Znから選択されるいずれか一種以上の元素の酸化物が0.1~10mol%、Crが45mol%以下、Ptが45mol%以下、残余がCoからなることを特徴とするスパッタリングターゲット又は膜。本発明は、酸化物に起因するパーティクルを大幅に低減することができ、成膜時における歩留まりを著しく向上することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。これによって、良質な磁気記録層の成膜が可能となり、磁気記録媒体の歩留まり等を改善することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)