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1. (WO2017141532) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/141532    International Application No.:    PCT/JP2016/087228
Publication Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Dec 15 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 25/07
H01L 23/28
H01L 25/18
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: HARADA, Hiroyuki
原田 啓行
HARADA, Kozo
原田 耕三
HATANAKA, Yasumichi
畑中 康道
NISHIMURA, Takashi
西村 隆
TAYA, Masaki
田屋 昌樹
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut limiter les pertes de performances d'isolation dues à des cycles thermiques et assurer les performances d'isolation par suppression de la formation de bulles et de la séparation entre un gel de silicone et un substrat isolant quand les températures sont élevées, quand les températures sont basses, et quand la tension de fonctionnement est élevée. La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : un substrat isolant (5), sur la face supérieure duquel est monté un élément à semi-conducteur (4) ; une plaque de base (1) jointe à la face inférieure du substrat isolant (5) ; un élément de boîtier (2), qui entoure le substrat isolant (5) et est en contact avec une face de la plaque de base (1) à laquelle le substrat isolant (5) est joint ; une résine d'étanchéité (8) qui remplit une région entourée par la plaque de base (1) et l'élément de boîtier (2), et assure l'étanchéité du substrat isolant (5) ; un couvercle (9) qui est en regard de la surface de la résine d'étanchéité (8) et est fixé à l'élément de boîtier (2) ; et une plaque de retenue (10), dont la face inférieure et une partie des faces latérales sont en contact étroit avec la surface de la résine d'étanchéité (8), et dont la face supérieure est fixée de façon à faire saillie de la face du couvercle (9) qui est en regard de la surface de la résine d'étanchéité (8).