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1. (WO2017141486) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/141486    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/080098
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 11.10.2016
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : WADA, Keiji; (JP).
HORI, Tsutomu; (JP).
NISHIGUCHI, Taro; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-026176 15.02.2016 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This silicon carbide epitaxial substrate includes a silicon carbide single crystal substrate and a silicon carbide layer. In a direction parallel to the central region, the ratio of the standard deviation of carrier concentration of the silicon carbide layer to the mean value of the carrier concentration thereof is less than 5%. The mean value of the carrier concentration is 1×1014 cm-3 to 5×1016 cm-3. In the direction parallel to the central region, the ratio of the standard deviation of thickness of the silicon carbide layer to the mean value of the thickness thereof is less than 5%. The arithmetic mean roughness (Sa) of the central region is 1 nm or less. The haze of the central region is 50 or less.
(FR)Ce substrat épitaxial en carbure de silicium comprend un substrat monocristallin en carbure de silicium et une couche de carbure de silicium. Dans un sens parallèle à la région centrale, le rapport de l’écart-type de la concentration du support de la couche de carbure de silicium à la valeur moyenne de la concentration du support de celle-ci est inférieur à 5 %. La valeur moyenne de la concentration du support est de 1 x 1014cm-3 à 5 x 1016cm-3. Dans le sens parallèle à la région centrale, le rapport de l’écart-type de l’épaisseur de la couche de carbure de silicium à la valeur moyenne de son épaisseur est inférieur à 5 %. La rugosité arithmétique moyenne (Sa) de la région centrale est de 1 nm ou moins. Le trouble de la région centrale est de 50 ou moins.
(JA)炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素単結晶基板と、炭化珪素層とを有している。中央領域と平行な方向において、炭化珪素層のキャリア濃度の平均値に対するキャリア濃度の標準偏差の比率は、5%未満である。キャリア濃度の平均値は、1×1014cm-3以上5×1016cm-3以下である。中央領域と平行な方向において、炭化珪素層の厚みの平均値に対する厚みの標準偏差の比率は、5%未満である。中央領域の算術平均粗さ(Sa)は、1nm以下である。中央領域のヘイズは、50以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)