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1. (WO2017141347) SOURCE DE LUMIÈRE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/141347 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/054428
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 16.02.2016
CIB :
H01S 5/022 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : YAMAMOTO, Shuhei; JP
FUTAMI, Mitsuaki; JP
IKEDA, Kazutaka; JP
Mandataire : INABA, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ光源
Abrégé :
(EN) The present invention is provided with: a semiconductor laser element 1 that outputs laser light from an output surface 11; a heat dissipating section 3 that dissipates heat of the semiconductor laser element 1; and a sub-mount 2 having a sub-mount substrate 23 wherein a protruding section 24 is provided on a flat board section 25, a first electrode layer 22 covering one surface of the sub-mount substrate 23, and a second electrode layer 26 covering the other surface of the sub-mount substrate 23. In the sub-mount 2, the first electrode layer 22 is bonded to the semiconductor laser element 1, and the second electrode layer 26 is bonded to the heat dissipating section 3, respectively using a solder, the protruding section 24 is provided from a predetermined position on the one surface of the sub-mount substrate 23 toward a sub-mount substrate end portion on the output surface 11 side, and in the first electrode layer 22, the thickness of a portion in contact with the protruding section 24 is less than the thickness of a portion in contact with the flat board section 25. The semiconductor laser element 1 is provided such that the output surface 11 is aligned with the end portion of the sub-mount 2, or is provided such that the output surface 11 is protruding to the outside by a predetermined value from the end portion of the sub-mount 2.
(FR) La présente invention comprend : un élément laser à semi-conducteur (1) qui émet une lumière laser par une surface de sortie (11) ; une section de dissipation de chaleur (3) qui dissipe la chaleur de l'élément laser à semi-conducteur (1) ; et une embase (2) comprenant un substrat d'embase (23) dont une partie saillante (24) est disposée sur une partie panneau plat (25), une première couche d'électrode (22) recouvrant une surface du substrat d'embase (23), et une seconde couche d'électrode (26) recouvrant l'autre surface du substrat d'embase (23). Dans l'embase (2), la première couche d'électrode (22) est collée à l'élément laser à semi-conducteur, et la seconde couche d'électrode (26) est collée à la section de dissipation de chaleur (3), respectivement à l'aide d'une brasure, la partie saillante (24) est disposée à partir d'une position prédéterminée sur ladite surface du substrat d'embase (23) vers une partie d'extrémité de substrat d'embase du côté de la surface de sortie (11), et dans la première couche d'électrode (22), l'épaisseur d'une partie en contact avec la partie saillante (24) est inférieure à l'épaisseur d'une partie en contact avec la partie panneau plat (25). L'élément laser à semi-conducteur (1) est disposé de manière que la surface de sortie (11) soit alignée avec la partie d'extrémité de l'embase (2), ou est disposé de manière que la surface de sortie (11) dépasse à l'extérieur d'une valeur prédéterminée par rapport à la partie d'extrémité de l'embase (2).
(JA)  射出面11からレーザ光を射出する半導体レーザ素子1と、半導体レーザ素子1の熱を放熱する放熱部3と、平板状の平板部25に突起部24が設けられたサブマウント基板23、サブマウント基板23の一方の面を覆う第一電極層22、及びサブマウント基板23の他方の面を覆う第二電極層26を有するサブマウント2とを備え、サブマウント2は、第一電極層22が半導体レーザ素子1に、及び第二電極層26が放熱部3にそれぞれはんだによって接合されており、突起部24は、サブマウント基板23の一方の面における予め定められた位置から射出面11側の端部にかけて設けられており、第一電極層22は、突起部24に接する部分の厚みが、平板部25に接する部分の厚みより薄く、半導体レーザ素子1は、射出面11がサブマウント2の端部に揃えて設けられている、又は射出面11がサブマウント2の端部から予め定められた値だけ外側に突出して設けられている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)