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1. (WO2017141140) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication :    WO/2017/141140    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/050692
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : JINTYOU, Masami; (--).
KOEZUKA, Junichi; (JP).
HAMOCHI, Takashi; (--).
HOSAKA, Yasuharu; (--)
Données relatives à la priorité :
2016-028586 18.02.2016 JP
2016-193217 30.09.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The field-effect mobility and reliability of a transistor including an oxide semiconductor film are improved. Provided is a semiconductor device including an oxide semiconductor film. The semiconductor device includes a first insulating film, an oxide semiconductor film over the first insulating film, a second insulating film and a third insulating film over the oxide semiconductor film, and a gate electrode over the second insulating film. The second insulating film comprises a silicon oxynitride film. When excess oxygen is added to the second insulating film by oxygen plasma treatment, oxygen can be efficiently supplied to the oxide semiconductor film.
(FR)Selon la présente invention, la mobilité d'effet de champ et la fiabilité d'un transistor comprenant un film d'oxyde semi-conducteur sont améliorées. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un film d'oxyde semi-conducteur. Le dispositif semi-conducteur comprend un premier film isolant, un film d'oxyde semi-conducteur sur le premier film isolant, un deuxième film isolant et un troisième film isolant sur le film d'oxyde semi-conducteur, et une électrode de grille sur le deuxième film isolant. Le deuxième film isolant comprend un film d'oxynitrure de silicium. Lorsqu'un excès d'oxygène est ajouté au deuxième film isolant par traitement par plasma à oxygène, l'oxygène peut être efficacement fourni au film d'oxyde semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)