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1. (WO2017141123) CIRCUITS FET À TRANSPORT VERTICAL ULTRADENSES

Pub. No.:    WO/2017/141123    International Application No.:    PCT/IB2017/050337
Publication Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Jan 24 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IBM UNITED KINGDOM LIMITED
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED
Inventors: ANDERSON, Brent, Alan
NOWAK, Edward
CHU, Albert, Manhee
Title: CIRCUITS FET À TRANSPORT VERTICAL ULTRADENSES
Abstract:
L'invention concerne des circuits logiques, ou des portes logiques, comprenant des transistors à effet de champ à transport vertical et une ou plusieurs portes actives, où le nombre de Cpp pour le circuit logique, isolé, est égal au nombre de portes actives. Les composants du circuit logique peuvent être présents dans au moins trois niveaux verticaux de circuit différents, y compris un niveau de circuit comprenant au moins un plan horizontal traversant un élément conducteur qui fournit une tension d'entrée à une ou plusieurs structures de grille (7) et un autre élément conducteur qui fournit une tension de sortie du circuit logique, et un autre niveau de circuit qui comprend un plan horizontal traversant un pont conducteur de la sortie N à la sortie P des transistors à effet de champ. De tels circuits logiques peuvent comprendre des inverseurs à une porte, des inverseurs à deux portes, des portes logiques NOR2, et des portes logiques NAND3, entre autres circuits logiques plus compliqués.