Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017140804) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'AU MOINS UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE PRÉSENTANT UN EMPILEMENT D'UNE OU DE PLUSIEURS COUCHES D'ARSÉNIURE DE GALLIUM-ALUMINIUM

Pub. No.:    WO/2017/140804    International Application No.:    PCT/EP2017/053542
Publication Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Feb 17 00:59:59 CET 2017
IPC: G02B 6/00
H01L 21/02
H01L 21/3115
H01S 3/063
Applicants: UNIVERSITÉ PARIS DIDEROT
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
Inventors: LEO, Giuseppe
STEPANENKO, Oleksandr
LEMAITRE, Aristide
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'AU MOINS UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE PRÉSENTANT UN EMPILEMENT D'UNE OU DE PLUSIEURS COUCHES D'ARSÉNIURE DE GALLIUM-ALUMINIUM
Abstract:
Procédé de fabrication d'un empilement monolithique d'au moins une structure (1) semi-conductrice présentant une ou plusieurs couches d'Arséniure de Gallium-Aluminium AIxiGa1-xiAs, i étant un entier supérieur ou égal à 1, sur une couche d'Oxyde d'Aluminium AlOx isolante qui a une épaisseur e suffisante pour confiner la lumière dans la structure 1 semi-conductrice par réflexion totale interne et sert de substrat optique à la structure 1 semi-conductrice, le procédé comprenant dans une première étape (i), à partir d'un substrat (4) de GaAs, une croissance par épitaxie : d'une couche semi-conductrice AlxGa1-xAs avec une fraction molaire en aluminium x supérieure ou égale à 0,90, puis d'une ou plusieurs couches semi-conductrices (2) d'AIxiGa1-xiAs, de sorte à ce que la fraction molaire d'aluminium x de la couche semi-conductrice (3a) d'AlxGa1-xAs diminue graduellement : suivant une épaisseur e1, vers le bas selon un gradient d'aluminium G1 jusqu'à la fraction molaire x=0 du substrat (4) de GaAs, et suivant une épaisseur e2, vers le haut selon un gradient d'aluminium G2 jusqu'à la fraction molaire x=x1 d'une première couche semi-conductrice (2) d'Alx1Ga1-x1As de la structure (1) semi-conductrice adjacente à la couche (3a).