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1. (WO2017140647) ÉLECTROLYTE SOLIDE POUR MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
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N° de publication : WO/2017/140647 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/053218
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 14.02.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,C03C 3/083 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
C
COMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, SUBSTANCES MINÉRALES OU SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
3
Compositions pour la fabrication du verre
04
contenant de la silice
076
avec 40 à 90% en poids de silice
083
contenant de l'oxyde d'aluminium ou un composé du fer
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
Déposants :
HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG [DE/DE]; Heraeusstrasse 12-14 63450 Hanau, DE
Inventeurs :
NEUMANN, Christian; DE
Mandataire :
MAIWALD PATENTANWALTS- UND RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Christian Haggenmüller Elisenstr. 3 / Elisenhof 80335 Munich, DE
Données relatives à la priorité :
16156125.317.02.2016EP
Titre (EN) SOLID ELECTROLYTE FOR RERAM
(FR) ÉLECTROLYTE SOLIDE POUR MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Abrégé :
(EN) The disclosed composition, particularly suitable for resistance switching memories based on metal ion transport, comprises a matrix material of a metal oxide/sulphide/selenide of at least two metals M1 and M2, and a metal M3 which is mobile in the matrix, wherein - the atomic ratio of M1 to M2 is within the range of 75:25 to 99.99:0.01; - the valence states of M1, M2 and M3 are all positive; - the valence state of M1 is larger than the valence state of M2; and - the valence state of M2 is equal to or larger than the valence state of M3. Most preferred is amorphous silicon dioxide with M2=AI partially replacing M1=Si atoms, containing M3=Cu. Fabrication and use of said composition, e.g. as sputtering target, are also disclosed.
(FR) L'invention concerne une composition, adaptée particulièrement aux mémoires à commutation résistives reposant sur le transport d'ions métalliques, comprenant un matériau de matrice composé d'un oxyde/sulfure/séléniure métallique d'au moins deux métaux M1 et M2, et un métal M3 qui est mobile dans la matrice, le rapport atomique M1/M2 étant compris entre 75:25 et 99,99:0,01; les états de valence de M1, M2 et M3 étant tous positifs; l'état de valence de M1 étant supérieur à l'état de valence de M2; et l'état de valence de M2 étant supérieur ou égal à l'état de valence de M3. Idéalement, on utilise de la silice amorphe, M2 étant de l'aluminium et remplaçant partiellement les atomes de silicium M1, contenant M3 sous forme de cuivre. L'invention concerne également la fabrication et l'utilisation de ladite composition, p. ex. comme cible de pulvérisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)