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1. (WO2017140646) CELLULE DE MÉMOIRE À COMMUTATION RÉSISTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/140646    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/053217
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 14.02.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG [DE/DE]; Heraeusstrasse 12-14 63450 Hanau (DE)
Inventeurs : NEUMANN, Christian; (DE)
Mandataire : MAIWALD PATENTANWALTS- UND RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Christian Haggenmüller Elisenstr. 3 / Elisenhof 80335 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
16156120.4 17.02.2016 EP
Titre (EN) RESISTIVE SWITCHING MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE À COMMUTATION RÉSISTIVE
Abrégé : front page image
(EN)The disclosed resistive switching memory cell comprises a switchable solid electrolyte matrix comprising a metal oxide/sulphide/selenide comprising at least two metals M1 and M2, and a metal M3 which is mobile in the matrix, wherein - the atomic ratio of M1 to M2 is within the range of 75:25 to 99.99:0.01; - the valence states of M1, M2 and M3 are all positive; - the valence state of M1 is larger than the valence state of M2; and - the valence state of M2 is equal to or larger than the valence state of M3. Most preferred is amorphous silicon dioxide with M2=AI partially replacing M1=Si atoms, and containing M3=Cu.
(FR)La présente invention concerne une cellule de mémoire à commutation résistive comprenant une matrice électrolytique solide commutable comprenant un séléniure/sulfure/oxyde métallique comprenant au moins deux métaux M1 et M2, et un métal M3 qui est mobile dans la matrice, les caractéristiques de ladite matrice étant que: - le rapport atomique M1 sur M2 se situe dans la plage 75:25 et 99,99:0,01, - les états de valence de M1, M2 et M3 sont tous positifs; - l'état de valence de M1 est supérieur à l'état de valence de M2; et l'état de valence de M2 est supérieur ou égal à l'état de valence de M3. Le dioxyde de silicium amorphe reçoit la préférence maximale avec M2=Al remplaçant partiellement M1= atomes Si et contenant M3=Cu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)