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1. (WO2017140646) CELLULE DE MÉMOIRE À COMMUTATION RÉSISTIVE

Pub. No.:    WO/2017/140646    International Application No.:    PCT/EP2017/053217
Publication Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Feb 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 45/00
Applicants: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
Inventors: NEUMANN, Christian
Title: CELLULE DE MÉMOIRE À COMMUTATION RÉSISTIVE
Abstract:
La présente invention concerne une cellule de mémoire à commutation résistive comprenant une matrice électrolytique solide commutable comprenant un séléniure/sulfure/oxyde métallique comprenant au moins deux métaux M1 et M2, et un métal M3 qui est mobile dans la matrice, les caractéristiques de ladite matrice étant que: - le rapport atomique M1 sur M2 se situe dans la plage 75:25 et 99,99:0,01, - les états de valence de M1, M2 et M3 sont tous positifs; - l'état de valence de M1 est supérieur à l'état de valence de M2; et l'état de valence de M2 est supérieur ou égal à l'état de valence de M3. Le dioxyde de silicium amorphe reçoit la préférence maximale avec M2=Al remplaçant partiellement M1= atomes Si et contenant M3=Cu.