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1. (WO2017140083) PROCÉDÉ D'OPTIMISATION POUR UNIFORMITÉ D'ÉPAISSEUR DE FILM D'ALIGNEMENT ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/140083 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/089745
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 12.07.2016
CIB :
G02F 1/1337 (2006.01) ,G02F 1/1362 (2006.01) ,G03F 1/32 (2012.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333
Dispositions relatives à la structure
1337
Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26
Masques à décalage de phase [PSM phase shift mask]; Substrats pour PSM; Leur préparation
32
PSM atténués [att-PSM], p.ex. PSM ayant une partie à décalage de phase semi-transparente, PSM en demi-ton; Leur préparation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
豆婷 DOU, Ting; CN
李强 LI, Qiang; CN
Mandataire :
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604 Building 2, Oceanwide City Square, Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
Données relatives à la priorité :
201610091187.X18.02.2016CN
Titre (EN) OPTIMIZATION METHOD FOR ALIGNMENT FILM THICKNESS UNIFORMITY AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) PROCÉDÉ D'OPTIMISATION POUR UNIFORMITÉ D'ÉPAISSEUR DE FILM D'ALIGNEMENT ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 配向膜厚度均一性的优化方法及液晶显示面板
Abrégé :
(EN) An optimization method for thickness uniformity of an alignment film (600). The optimization method comprises the following steps: providing a thin film transistor array substrate (2) deposited with a passivation layer (100); coating the passivation layer (100) with photoresists (200); dividing the thin film transistor array substrate (2) into different areas, and performing halftone mask exposure, ordinary mask exposure, developing and etching on photoresists (200) in different areas respectively; after etching, removing the photoresists (200), and depositing an ITO film layer (500); performing etching on the ITO film layer (500) so as to obtain the thin film transistor array substrate (2) on which the upper surface of the ITO film layer (500) and that of the passivation layer (100) are located in the same plane; and coating the upper surface of the ITO film layer (500) and that of the passivation layer (100) with an alignment film (600). According to the optimization method, as the upper surface of the ITO film layer (500) and that of the passivation layer (100) are located in the same plane, the whole alignment film spread on the upper surfaces of the ITO film layer and the passivation layer is uniform in thickness, and the display quality of the LCD panel is improved.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'optimisation pour l'uniformité d'épaisseur d'un film d'alignement (600). Le procédé d'optimisation comprend les étapes suivantes : fourniture d'un substrat de matrice de transistors à couche mince (2) déposé avec une couche de passivation (100); revêtement de la couche de passivation (100) avec des résines photosensibles (200); division du substrat de matrice de transistors à couche mince (2) en différentes zones, et conduite d'une exposition à un masque tramé, exposition à un masque ordinaire, développement et gravure sur les résines photosensibles (200) dans différentes zones, respectivement; après la gravure, retrait des résines photosensibles (200), et dépôt d'une couche de film ITO (500); conduite d'une gravure sur la couche de film ITO (500) de façon à obtenir le substrat de matrice de transistors à couche mince (2) sur lequel la surface supérieure de la couche de film ITO (500) et celle de la couche de passivation (100) sont situées dans le même plan; et revêtement de la surface supérieure de la couche de film ITO (500) et celle de la couche de passivation (100) avec un film d'alignement (600). Selon le procédé d'optimisation, lorsque la surface supérieure de la couche de film ITO (500) et celle de la couche de passivation (100) sont situées dans le même plan, le film d'alignement total étalé sur les surfaces supérieures de la couche de film ITO et la couche de passivation présente une épaisseur uniforme, et la qualité d'affichage du panneau LCD est améliorée.
(ZH) 一种配向膜(600)厚度均一性的优化方法,包括以下步骤:提供沉积有钝化层(100)的薄膜晶体管阵列基板(2);在钝化层(100)上涂布光阻(200);将薄膜晶体管阵列基板(2)划分为不同区域,对处于不同区域的光阻(200)分别进行半色调掩膜曝光和普通掩膜曝光、显影、刻蚀;刻蚀后,去除光阻(200)、沉积ITO膜层(500);对ITO膜层(500)进行刻蚀,得到ITO膜层(500)上表面与钝化层(100)上表面处于同一平面的薄膜晶体管阵列基板(2);在ITO膜层(500)上表面和钝化层(100)上表面涂布配向膜(600)。由于ITO膜层(500)上表面与钝化层(100)上表面处于同一平面,使得涂布在其上方的整面配向膜(600)厚度均一,因而有助于提高液晶显示面板的显示品质。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)