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1. (WO2017140036) TRANSISTOR À FILM MINCE DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/140036 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/081074
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 05.05.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
李金明 LI, Jinming; CN
Mandataire :
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604 Building 2, Oceanwide City Square, Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
Données relatives à la priorité :
201610094823.419.02.2016CN
Titre (EN) LOW TEMPERATURE, POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À FILM MINCE DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
Abrégé :
(EN) Provided are a low temperature, polysilicon thin film transistor and a manufacturing method thereof. The thin film transistor comprises a substrate (1), a metal induction layer (3) formed on the substrate (1), a barrier layer (4) formed on the metal induction layer (3), and an amorphous silicon film (51) formed on the barrier layer (4). The amorphous silicon film (51) is induced by the metal induction layer (3) to convert into a polysilicon film, the polysilicon film being an active layer (52). Although the active layer (52) is obtained by metal-induced crystallization, the metal induction layer (3) is disposed below the amorphous silicon film (51), and the barrier layer (4) is disposed between the metal induction layer (3) and the amorphous silicon film (51). By utilizing a metal induction layer (3), the present invention can induce recrystallization of amorphous silicon such that the amorphous silicon is converted into polysilicon, and by utilizing a barrier layer (4), the present invention can effectively control the number of metal ions entering an amorphous silicon film (51) and reduce the amount of metal ions remaining in the polysilicon film after induction.
(FR) La présente invention concerne un transistor à film mince de polysilicium basse température et son procédé de fabrication. Le transistor à film mince comprend un substrat (1), une couche d'induction métallique (3) formée sur le substrat (1), une couche barrière (4) formée sur la couche d'induction métallique (3), et un film de silicium amorphe (51) formé sur la couche barrière (4). Le film de silicium amorphe (51) est induit par la couche d'induction métallique (3) pour le convertir en un film de polysilicium, le film de polysilicium étant une couche active (52). Bien que la couche active (52) soit obtenue par cristallisation induite par un métal, la couche d'induction métallique (3) est disposée au-dessous du film de silicium amorphe (51), et la couche barrière (4) est disposée entre la couche d'induction métallique (3) et le film de silicium amorphe (51). En utilisant une couche d'induction métallique (3), la présente invention peut induire une recristallisation de silicium amorphe, de sorte que le silicium amorphe est converti en polysilicium, et en utilisant une couche barrière (4), la présente invention peut contrôler efficacement le nombre d'ions métalliques pénétrant dans un film de silicium amorphe (51) et réduire la quantité d'ions métalliques restant dans le film de polysilicium après l'induction.
(ZH) 提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法,包括基板(1)、形成于基板(1)上的金属诱导层(3)、形成于金属诱导层(3)上的阻挡层(4)以及形成于阻挡层(4)上的非晶硅膜层(51),非晶硅膜层(51)经过金属诱导层(3)的诱导作用转化为多晶硅膜层,多晶硅膜层为有源层(52)。虽然有源层(52)是利用金属诱导法得到的,但金属诱导层(3)是设置在非晶硅膜层(51)下方的,且金属诱导层(3)与非晶硅膜层(51)之间还设有阻挡层(4)。利用金属诱导层(3)可实现对非晶硅的诱导,使其重结晶转变为多晶硅;利用阻挡层(4)可有效控制进入非晶硅膜层(51)中的金属离子的含量,降低诱导后在多晶硅膜层中残留金属离子的含量。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)