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1. (WO2017140034) TOUCHE DE RECOUVREMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE TOUCHE DE RECOUVREMENT ET PROCÉDÉ DE MESURE DE LA PRÉCISION DE RECOUVREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/140034 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/080885
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 03.05.2016
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 9/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
9
Mise en registre ou positionnement d'originaux, de masques, de trames, de feuilles photographiques, de surfaces texturées, p.ex. automatique
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥京东方光电科技有限公司 HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 新站区铜陵北路2177号 No. 2177, Tongling Bei Road, Hefei New Railway Station District Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs :
张玉虎 ZHANG, Yuhu; CN
王军帽 WANG, Junmao; CN
聂彬 NIE, Bin; CN
岳浩 YUE, Hao; CN
Mandataire :
中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 中国香港特别行政区 湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201610085710.815.02.2016CN
Titre (EN) OVERLAY KEY, METHOD FOR FORMING OVERLAY KEY AND METHOD FOR MEASURING OVERLAY ACCURACY
(FR) TOUCHE DE RECOUVREMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE TOUCHE DE RECOUVREMENT ET PROCÉDÉ DE MESURE DE LA PRÉCISION DE RECOUVREMENT
(ZH) 套刻键标、形成套刻键标的方法和测量套刻精度的方法
Abrégé :
(EN) An overlay key, a method for forming an overlay key and a method for measuring overlay accuracy. The overlay key comprises at least two overlay markers (201, 201'; 202, 202'; 203, 203'), wherein each of the overlay markers (201, 201'; 202, 202'; 203, 203') has first sub-markers (201, 202, 203) and second sub-markers (201', 202', 203') centrosymmetric to each other, and each of the first sub-markers (201, 202, 203) and each of the second sub-markers (201', 202', 203') comprise two mutually perpendicular strip-shaped patterns having a common end. At least two of the overlay markers (201, 201'; 202, 202'; 203, 203') are located on different layers. By means of the overlay key, the requirement of an overlay key for a larger substrate area can be alleviated or reduced, and the overlay accuracy between different layers can be measured.
(FR) L'invention concerne une touche de recouvrement, un procédé de formation d'une touche de recouvrement et un procédé de mesure de la précision de recouvrement. La touche de recouvrement comprend au moins deux marqueurs de recouvrement (201, 201'; 202, 202'; 203, 203'). Chacun des marqueurs (201, 201'; 202, 202'; 203, 203') présente des premiers sous-marqueurs (201, 202, 203) et des seconds sous-marqueurs (201', 202', 203') centrosymétriques les uns aux autres; et chacun des premiers sous-marqueurs (201, 202, 203) et chacun des seconds sous-marqueurs (201', 202', 203') comprennent deux motifs en forme de bande perpendiculaires l'un à l'autre et présentant une extrémité commune. Au moins deux des marqueurs de recouvrement (201, 201'; 202, 202'; 203, 203') sont situés sur des couches différentes. L'utilisation de la touche de recouvrement atténue ou réduit l'exigence d'une touche de recouvrement pour une plus grande zone de substrat, et la précision de recouvrement entre différentes couches peut être mesurée.
(ZH) 一种套刻键标、形成套刻键标的方法和测量套刻精度的方法,套刻键标包括:至少两个套刻标记(201,201';202,202';203,203'),每个套刻标记(201,201';202,202';203,203')具有彼此中心对称的第一子标记(201,202,203)和第二子标记(201',202',203'),第一子标记(201,202,203)和第二子标记(201',202',203')中的每一个包括两个相互垂直且具有公共端的条状图形;套刻标记(201,201';202,202';203,203')中至少有两个位于不同层。采用这种套刻键标,可以缓解或减轻套刻键标对于较大基板面积的需求,以及可以测量不同层之间的套刻精度。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)