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1. (WO2017139991) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE MATÉRIAU D'ÉLECTRODE POSITIVE DE BATTERIE LITHIUM-SOUFRE À SPHÈRES CREUSES DE DIOXYDE DE MANGANÈSE
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N° de publication :    WO/2017/139991    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/074187
Date de publication : 24.08.2017 Date de dépôt international : 21.02.2016
CIB :
H01M 4/139 (2010.01), H01M 4/50 (2010.01)
Déposants : XIAO, Lifang [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : XIAO, Lifang; (CN).
ZHONG, Linglong; (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PREPARATION METHOD FOR MANGANESE DIOXIDE HOLLOW SPHERE LITHIUM-SULPHUR BATTERY POSITIVE ELECTRODE MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE MATÉRIAU D'ÉLECTRODE POSITIVE DE BATTERIE LITHIUM-SOUFRE À SPHÈRES CREUSES DE DIOXYDE DE MANGANÈSE
(ZH) 一种二氧化锰空心球锂硫电池正极材料的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A preparation method for a manganese dioxide hollow sphere lithium-sulphur battery positive electrode material, comprising the following steps: (1) adding manganese chloride, potassium potassium permanganate, and sodium dodecyl benzene sulphonate to distilled water and mixing to dissolve; (2) adding said solution to a hydrothermal kettle to implement a hydrothermal reaction, and after completion of the reaction, cooling naturally, filtering, washing with water, washing with ethanol, and drying to obtain a hollow manganese dioxide; and (3) adding the obtained hollow manganese dioxide, elemental sulphur, and graphene to carbon disulphide, implementing ultrasonic dispersion to form a suspension, and then evaporating the solvent to obtain a composite material. The manganese dioxide hollow spheres in the graphene/manganese dioxide hollow sphere/sulphur composite material are covered with a sulphur base material, and can inhibit the dissolution of polysulphides from the discharge product and mitigate volume expansion, improving electrochemical performance.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation d'un matériau d'électrode positive de batterie lithium-soufre à sphères creuses de dioxyde de manganèse, comprenant les étapes suivantes : (1) ajout de chlorure de manganèse, de permanganate de potassium, et de dodécylbenzène sulfonate de sodium à de l'eau distillée et mélange jusqu'à dissolution ; (2) ajout de ladite solution à une cuve hydrothermique pour mettre en œuvre une réaction hydrothermique, et après achèvement de la réaction, refroidissement naturel, filtration, lavage à l'eau, lavage à l'éthanol et séchage pour obtenir du dioxyde de manganèse creux ; et (3) ajout du dioxyde de manganèse creux obtenu, de soufre élémentaire et de graphène à du disulfure de carbone, mise en œuvre d'une dispersion par ultrasons pour former une suspension, puis évaporation du solvant pour obtenir un matériau composite. Les sphères creuses de dioxyde de manganèse dans le matériau composite graphène/sphères de dioxyde de manganèse creuses/soufre sont recouvertes d'un matériau à base de soufre, et peuvent empêcher la dissolution de polysulfures à partir du produit de décharge et atténuer la dilatation volumique, améliorant les performances électrochimiques.
(ZH)一种二氧化锰空心球锂硫电池正极材料的制备方法,包括以下几个步骤:(1)将氯化锰、高锰酸钾、十二烷基苯磺酸钠加入到蒸馏水中搅拌溶解;(2)将上述溶液加入水热釜中进行水热反应,反应完全后自然冷却、过滤、水洗、乙醇洗、干燥后得到空心二氧化锰;(3)将得到的空心二氧化锰、硫单质、石墨烯加入到二硫化碳中,超声分散,形成悬浮液,然后蒸干溶剂,得到复合材料。该石墨烯/二氧化锰空心球/硫复合材料中二氧化锰空心球的包覆着硫基材料,能抑制放电产物多硫化物的溶解以及缓解体积膨胀,提高其电化学性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)