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1. (WO2017139486) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FOURNITURE DE PLUS GRANDE CAPACITÉ DE MÉMORISATION
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N° de publication : WO/2017/139486 N° de la demande internationale : PCT/US2017/017221
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
G06F 11/16 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11
Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07
Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
16
Détection ou correction d'erreur dans une donnée par redondance dans le matériel
Déposants :
COGLITORE, Giovanni [US/US]; US
PANICCIA, Mario, J. [US/US]; US
LEVINSON, Roger [US/US]; US
R-STOR INC. [US/US]; 15150 Via Colina Saratoga, CA 95070, US
Inventeurs :
COGLITORE, Giovanni; US
PANICCIA, Mario, J.; US
LEVINSON, Roger; US
Mandataire :
CHAO, Aborn, C.; US
CHAO, Aborn, C.; US
ALBASSAM, Majid, S.; US
FLANAGAN, Peter, C.; US
RABINOWITZ, Daniel, S.; US
Données relatives à la priorité :
62/293,57810.02.2016US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING INCREASED STORAGE CAPACITY
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FOURNITURE DE PLUS GRANDE CAPACITÉ DE MÉMORISATION
Abrégé :
(EN) Certain embodiments may relate to providing increased storage capacity. For instance, a memory storage device may include a motherboard with an external communication interface. The memory storage device may also include a multiple solid-state drives coupled to the motherboard in communication with the external communication interface. Each of the plurality of solid-state drives may include a respective storage controller to manage the distribution of data during a write or read operation to a combination of a primary storage allocation and a redundant storage allocation. The redundant storage allocation may be included in the combination in response to detecting an error condition associated with at least a portion of the primary storage allocation.
(FR) Selon certains modes de réalisation, la présente invention peut concerner la fourniture d'une plus grande capacité de mémorisation. Par exemple, un dispositif de mémorisation peut comprendre une carte mère ayant une interface de communication externe. Le dispositif de mémorisation peut également comprendre une pluralité de circuits de commande à semi-conducteurs couplés à la carte mère en communication avec l'interface de communication externe. Chacun des circuits de commande à semi-conducteurs de la pluralité de circuits de commande à semi-conducteurs peut comprendre un dispositif de commande de mémorisation respectif afin de gérer la distribution de données pendant une opération d'écriture ou de lecture vers une combinaison d'une attribution de mémorisation principale et d'une attribution de mémorisation redondante. L'attribution de mémorisation redondante peut être comprise dans la combinaison en réponse à la détection d'une condition d'erreur associée à au moins une partie de l'attribution de mémorisation principale.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)