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1. (WO2017139317) DISPOSITIFS ET SYSTÈMES DE COMMUNICATION À HAUTE VITESSE, SANS FIL, À TRÈS LARGE BANDE
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N° de publication :    WO/2017/139317    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/016916
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 08.02.2017
CIB :
H01L 33/30 (2010.01), H04B 10/11 (2013.01)
Déposants : LUMEOVA, INC [UA/US]; 1017 Main Campus Drive, Suite 2300 Raleigh, North Carolina 27606 (US)
Inventeurs : KHATIBZADEH, Mohammad Ali; (US).
GOSWAMI, Arunesh; (US)
Mandataire : NIFONG, Justin; (US)
Données relatives à la priorité :
62/293,291 09.02.2016 US
Titre (EN) ULTRA-WIDEBAND, WIRELESS OPTICAL HIGH SPEED COMMUNICATION DEVICES AND SYSTEMS
(FR) DISPOSITIFS ET SYSTÈMES DE COMMUNICATION À HAUTE VITESSE, SANS FIL, À TRÈS LARGE BANDE
Abrégé : front page image
(EN)Devices, systems, and methods for providing wireless personal area networks (PANs) and local area networks (LANs) using visible and near-visible optical spectrum. Various constructions and material selections are provided herein. According to one embodiment, a light-emitting diode (LED) includes a substrate, a carrier confinement (CC) region positioned over the substrate, and an active region position over the CC region. The CC region includes a first CC layer comprising indium gallium phosphide and a second CC layer position over the first CC layer. The second CC layer includes gallium arsenide phosphide. The active region is configured to have a transient response time of less than 500 picoseconds (ps).
(FR)La présente invention concerne des dispositifs, des systèmes et des procédés pour fournir des réseaux personnels sans fil (PAN) et des réseaux locaux (LAN) au moyen d’un spectre optique visible et visible proche. L’invention concerne différentes constructions et sélections de matériaux. Selon un mode de réalisation, une diode électroluminescente (LED) comprend un substrat, une région de confinement de porteuse (CC) positionnée sur le substrat, et une région active positionnée sur la région CC. La région CC comprend une première couche CC comprenant du phosphure d'indium-gallium et une deuxième couche CC positionnée sur la première couche CC. La deuxième couche CC comprend du phosphure d’arséniure de gallium. La région active est configurée de façon à avoir un temps de réponse transitoire inférieur à 500 picosecondes (ps).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)