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1. (WO2017139300) DISPOSITIF COMPRENANT UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET UN REDRESSEUR À DIODE À BARRIÈRE DE SCHOTTKY, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/139300 N° de la demande internationale : PCT/US2017/016888
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 08.02.2017
CIB :
H01L 27/15 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
Déposants :
THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 304 Old Main University Park, Pennsylvania 16802, US
Inventeurs :
LIU, Jie; US
XU, Jian; US
Mandataire :
CAMILLO, Jason P.; US
Données relatives à la priorité :
62/293,05709.02.2016US
Titre (EN) DEVICE COMPRISING A LIGHT-EMITTING DIODE AND A SCHOTTKY BARRIER DIODE RECTIFIER, AND METHOD OF FABRICATION
(FR) DISPOSITIF COMPRENANT UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET UN REDRESSEUR À DIODE À BARRIÈRE DE SCHOTTKY, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) An integrated circuit is provided with a (bridge) rectifier circuit configured to couple to an alternating current (AC) supply to a (string of) LEDs monolithically fabricated on substrate, preferably on a patterned sapphire substrate (PSS). The rectifier including at least one schottky barrier diode configured to have a reverse-bias breakdown voltage substantially equal to or greater than half a peak voltage of the AC supply. Further embodiments include a method for fabricating an integrated Schottky barrier diode (SBD) with a LED on a LED wafer. Some embodiments can include etching processes to a wafer that may include a plurality of processing cycles. Some embodiments can further include a wafer having a patterned substrate. The wafer with the patterned substrate may have an interface layer configured to facilitate increasing a forward bias current density of the SBD.
(FR) L'invention concerne un circuit intégré qui comprend un circuit redresseur (en pont) configuré pour coupler une alimentation en courant alternatif (CA) à une (chaîne de) diode(s) électroluminescente(s) (DEL) fabriquée de façon monolithique sur un substrat, de préférence sur un substrat en saphir à motifs (PSS). Le redresseur comprend au moins une diode à barrière de Schottky conçue pour avoir une tension de claquage en polarisation inverse sensiblement égale ou supérieure à la moitié de la tension maximale de l'alimentation CA. Selon d'autres modes de réalisation, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode à barrière de Schottky (SBD) intégrée avec une DEL sur une tranche DEL. Certains modes de réalisation peuvent concerner des processus de gravure d'une tranche, qui peuvent comprendre une pluralité de cycles de traitement. Certains modes de réalisation peuvent concerner en outre une tranche comprenant un substrat à motifs. La tranche à substrat à motifs peut comprendre une couche d'interface configurée pour faciliter une augmentation de la densité de courant de polarisation directe de la SBD.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)