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1. (WO2017139191) COLLECTE DE DONNÉES DANS UNE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/139191    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/016425
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 03.02.2017
CIB :
G11C 7/06 (2006.01), G06F 12/08 (2016.01), G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventeurs : ZAWODNY, Jason T.; (US).
TIWARI, Sanjay; (US).
MURPHY, Richard C.; (US)
Mandataire : WADDICK, Kevin G.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/043,236 12.02.2016 US
Titre (EN) DATA GATHERING IN MEMORY
(FR) COLLECTE DE DONNÉES DANS UNE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Examples of the present disclosure provide apparatuses and methods for storing a first element in memory cells coupled to a first sense line and a plurality of access line. The examples can include storing a second element in memory cells coupled to a second sense line and the plurality of access lines. The memory cells coupled to the first sense line can be separated from the memory cells coupled to the second sense line by at least memory cells coupled to a third sense line and the plurality of access lines. The examples can include storing the second element in the memory cells coupled to the third sense line.
(FR)La présente invention concerne, selon des exemples, des appareils et des procédés de stockage d'un premier élément dans des cellules de mémoire couplées à une première ligne de détection et à une pluralité de lignes d'accès. Les exemples peuvent consister à stocker un second élément dans des cellules de mémoire couplées à une deuxième ligne de détection et à la pluralité de lignes d'accès. Les cellules de mémoire couplées à la première ligne de détection peuvent être séparées des cellules de mémoire couplées à la deuxième ligne de détection par au moins des cellules de mémoire couplées à une troisième ligne de détection et à la pluralité de lignes d'accès. Les exemples peuvent consister à stocker le second élément dans les cellules de mémoire couplées à la troisième ligne de détection.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)